WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Министерство образования и науки РФ

Федеральное агентство по образованию

Московский государственный технический университет

имени Н.Э. Баумана

Калужский филиал

Калужский государственный педагогический университет

имени К.Э. Циолковского

Посвящается 50-летию

Калужского филиала

МГТУ им. Н.Э. Баумана Д.К. Никифоров, А.П. Коржавый, К.Г. Никифоров

ЭМИТТИРУЮЩИЕ НАНОСТРУКТУРЫ

«МЕТАЛЛ–ОКСИД МЕТАЛЛА»:

ФИЗИКА И ПРИМЕНЕНИЕ

Под редакцией А.П. Коржавого УДК 538.975; 537.226; 537.312.7 ББК 22.37 Н22 Рецензенты:

кафедра «Технологические основы радиоэлектроники» Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (технического университета);

д-р техн. наук, профессор, лауреат Государственных премий СССР и РФ В.П. Марин;

д-р техн. наук В.В. Прасицкий Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г.

Н22 Эмиттирующие наноструктуры «металл–оксид металла»: физика и применение: Монография / Под ред. А.П. Коржавого. — М.:

Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. — 156 с.

ISBN 978-5-7038-3357- В монографии освещены важнейшие с точки зрения современного материаловедения вопросы формирования эмиссионных токов в наноструктурах «металл–оксид металла», активно используемых в качестве основы холодных катодов различных электронных устройств.

Проведен анализ использования тонкопленочных структур как основы холодных катодов кольцевых лазеров гироскопов, для накачки которых применяется тлеющий газовый разряд. С использованием компьютерного моделирования проведены комплексные исследования механизмов формирования инжекционно-эмиссионных токов в наноструктурах Al–Al2O3 и Be–BeO, процессов модификации их поверхности и объема под действием ионно-электронной бомбардировки. Рассмотрены вопросы получения и исследования физико-технических параметров холодных катодов на основе наноструктур Al–Al2O3 и Be–BeO.

Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области электронного материаловедения, радиоэлектроники, физики твердого тела. Она также может служить учебником, полезным преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам-старшекурсникам соответствующих физико-технических и естественнонаучных специальностей.

УДК 538.975; 537.226; 537.312. ББК 22. © Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г., © Издательство МГТУ ISBN 978-5-7038-3357-5 им. Н.Э. Баумана,

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА

Когда-нибудь все будет иметь свой конец — далекий день, которого я уже не увижу, тогда откроют мои книги и у меня будут читатели. Я должен писать для них, для них я должен закончить мои основные идеи… /Фридрих Ницше/ Появление в начале 70-х годов прошлого века лазерного гироскопа на холодных катодах из оксидированных металлов (Be, Al, Na, Zr и др.) обусловлено недостатками, присущими классическому роторному гироскопу. Наличие в последнем массы, закрепленной в подшипниках в качестве чувствительного элемента, а также и других вращающихся и изнашивающихся частей существенным образом снижает надежность роторного гироскопа. К тому же в последние десятилетия возрастали требования к навигационным комплексам.

Поэтому в конце прошлого века и наблюдался высокий интерес к новым разработкам приборов управления движением. Наряду с кольцевым газоразрядным лазерным гироскопом на холодных катодах был создан волоконно-оптический гироскоп, камертонный гироскоп и, наконец, волновой твердотельный гироскоп.

В настоящее время все вышеупомянутые гироскопы находятся на различных стадиях промышленного освоения. Классический роторный гироскоп благодаря постоянному улучшению характеристик и вопреки высокой чувствительности к механическим нагрузкам все еще широко используется в отечественной промышленности для управления движением целого ряда объектов. Российские авиационные и судовые навигационные комплексы в основном используют кольцевые лазерные гироскопы на холодных катодах. В США, Франции и в других странах Евросоюза серийные лазерные гироскопы применяют на всех морских судах и в авиационной технике. Лазерный гироскоп состоит из кольцевого лазера, устройства совмещения встречных волн, фотоприемника (фотодиода) и вычислительного комплекса. Используемый в них кольцевой лазер имеет моноблочную конструкцию резонатора, изготовленную из плавленого кварца или ситалла. В моноблоке кольцевого резонатора определенным образом высверлены оптические каналы и полости, которые служат, в том числе, газоразрядными промежутками, резервуарами смеси газов, обычно гелийнеоновой (He–Ne), местами для размещения холодного катода и анодов. Тлеющий разряд, зажженный между катодом и анодами, является источником накачки лазера.

Кварц и ситалл, из которого изготовлен моноблочный резонатор, обладают низкой теплопроводностью, что исключает применение в кольцевых моноблочных лазерах известного и широко апробированного накаленного катода. Это связано с тем, что при использовании накаленного катода выделяется большое количество тепла, разогревающего моноблок. При этом возникает значительный градиент температуры, и деформация материала приводит к изменению периметра, а следовательно, и к расстройке резонатора. Альтернативное использование в такой конструкции высокочастотного разряда (ВЧ-накачка) делает её громоздкой и неприемлемой для малогабаритных резонаторов.

В связи с этим разработка конструкции резонаторов с накачкой постоянным током на холодном катоде и применение двух анодов (для устранения эффекта Лэнгмюра) дала возможность реализовать несколько оптических схем лазерных гироскопов, серийное использование которых мы наблюдаем сегодня.

Применение холодных катодов обеспечило такие основные достоинства лазерного гироскопа, как нечувствительность к линейным ускорениям, высокая линейность выходной характеристики, практически мгновенное включение и малое время готовности.

Предельная чувствительность лазерного гироскопа ограничивается естественными флуктуациями. Для He–Ne лазерного датчика она составляет 10–3–10–4 град/ч. Случайный и долговременный дрейф, его воспроизводимость при повторных включениях составляют не более 10–1 град/ч. Диапазон угловых скоростей, измеряемых лазерными гироскопами, составляет 10–2–107 град/ч.

Заметим, что точность лазерного гироскопа определяется и временем обработки информации, однако современные вычислительные средства позволяют весьма успешно разрешать эту операцию.

Решены к настоящему времени и некоторые другие технические проблемы, ограничивающие возможности лазерной гироскопии.

От паразитных невзаимностей избавляются периодическим изменением знака невзаимности — переключением направления поля во вневзаимном элементе фарадеевского типа.

Технология изготовления малогабаритных лазерных гироскопов сложна и уникальна. Поскольку их разработка захватывает годы «холодной войны» и действия различных эмбарго в отношении нашей страны, технические решения по повышению долговечности моноблочных лазерных датчиков на He–Ne-смеси зарубежными фирмами и отечественными специалистами не публиковались.

Нет сведений, каким путем решена проблема «жестчения» He–Neсмеси в малогабаритных моноблоках, как решена проблема предотвращения утечки гелия при малых балластных объемах в них.

Эти сведения не приводятся и не обсуждаются и в данной монографии. Замечу лишь то, что эти проблемы успешно решены и долговечность He–Ne моноблочных датчиков уже превышает 10 000 ч.

Особое место в создании малогабаритных моноблочных кольцевых лазеров занимает источник электронов — холодный катод.

Его долговечность и стабильная работоспособность в He–Ne-смеси в условиях аномального тлеющего разряда, обеспечивающего накачку, в значительной степени позволила достичь прогресса в освоении серийного производства современных лазерных гироскопов.

При создании отечественных холодных катодов для малогабаритных моноблочных лазерных гироскопов были априори заложены жесткие условия работы холодного катода в аномальном тлеющем разряде: объем He–Ne-смеси 50 см3; соотношения парциальных давлений компонентов pHe : pNe = ( 5 :1) (15 :1) ; общее давление pHe Ne = 200 400 Па; плотность разрядного тока на холодном катоде 1 мА/см2. Это фактически реальные условия для реализации процесса катодного распыления металлических материалов.

В этих условиях функционирования аномального тлеющего разряда холодный катод в течение всего срока службы практически не должен распыляться и в то же время он должен выполнять свою основную функцию: поставку электронов в плазму тлеющего разряда для его непрерывного горения. Идея обеспечения его долговременной работы заключалась в том, чтобы защитить поверхность холодного металлического катода, испускающую электроны, слабораспыляющейся в процессе бомбардировки положительными ионами и ускоренными частицами тлеющего разряда диэлектрической пленкой, например оксидной. Такая пленка должна иметь поры и дефекты для поступления через них электронов из металлической части холодного катода, поскольку свободных электронов в диэлектрике нет.

Однако, как оказалось, эти дефекты и поры становились со временем местами локального разрушения рабочей поверхности холодного катода системы «металл–оксид металла», что и ограничивало срок его службы.

Создание беспористой наноструктуры «металл–оксид металла»

с толщиной оксидной пленки в несколько нанометров, через которую могли бы «вытягиваться» электроны из металла без разрушения самой нанопленки, потребовало значительного объема теоретических и экспериментальных исследований.

Описанию этих исследований и посвящена данная монография.

Монография состоит из введения, четырех глав и заключения.

Во введении кратко обсуждены современные эмиттеры электронов — холодные катоды системы «металл–оксид металла», в частности с тонкими пленками Al2O3 и BeO, а также основные цели монографии.

В главе 1 описаны тонкопленочные структуры, перспективные в качестве источников электронов — холодных катодов — для различных типов газоразрядных приборов. Рассмотрены физические свойства структур типа Al–Al2O3, Ве–BeO и др. и различные способы их получения, особенности их конструкций в виде полых катодов, а также схемы и применения в газоразрядных лазерах, в том числе и моноблочных. Значительный объем материала посвящен анализу свойств используемых для этих целей материалов.

Проблемам моделирования процессов инжекции и эмиссии носителей заряда в системах «металл–оксид металла» посвящена глава 2. Особое внимание в ней уделено формированию туннельных токов в наноструктурах Al–Al2O3 и Ве–BeO. Описаны и проанализированы расчетные зависимости туннельного тока Фаулера– Нордгейма через границу металл–диэлектрик для конкретных наноструктур при различных условиях.

Глава 3 посвящена анализу процессов распыления поверхности оксида металла в наноструктурах Al–Al2O3 и Ве–BeO под действием бомбардировки и моделированию физических процессов в них.

Описаны также исследования по изучению процессов формирования вторичных ионно-электронной и электронной эмиссий с поверхности оксида металла в таких наноструктурах.

Получению и исследованию тонкопленочных холодных катодов на основе наноструктур Al–Al2O3 и Ве–BeO посвящена глава 4.

В ней описаны экспериментальные устройства и приборы, а также способы получения и исследования основных свойств холодных катодов. Проанализированы работы по макетированию и применению эмиттирующих наноструктур в экспериментальных приборах.

В заключении рассмотрены возможные пути развития навигационных приборов и применения технологий получения наноструктур при их реализации в перспективных гироскопах.

ВВЕДЕНИЕ

В различных областях науки, техники, промышленности широко востребованы устройства электронной техники — вакуумные СВЧ-приборы, фотоэлектронные умножители и газоразрядные лазеры, важнейшим элементом которых является эмиттер электронов — холодный катод [1–3]. В последние годы газоразрядные, в частности, гелий-неоновые лазеры интенсивно используются для создания лазерных систем с большим функциональным спектром применения (хранение информации, средства навигации и локации, печатающие и сканирующие устройства и т.п.).

Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газовых лазеров, — способность сохранять рабочие параметры при соприкосновении его эмиттирующих поверхностей с газовой средой. Этому способствуют защитные свойства тонкой окисной эмиссионной пленки [4]. Особенно широко используются в этом плане тонкие пленки Al2O3 и BeO.

Сочетание высокой температуры плавления и теплопроводности с диэлектрическими параметрами, характерное для оксидов алюминия и бериллия, по-прежнему оставляет их оптимальными материалами несмотря на все перспективы использования нитрида алюминия [5, 6].

В то же время необходимо отметить, что подобные пленки не только выполняют конструктивную «защитную» функцию, но зачастую являются активными элементами электронных структур. В качестве примера можно привести тонкопленочные гетероструктуры Al2O3–Si [7], многослойные наноструктуры Ta2O5–Al2O3 [8] и SrTiO3–CeO2–Al2O3 [9], металлические одноэлектронные транзисторы на Al(Nb)–Al2O3–Al(Nb) [10, 11], оптические элементы на основе BeO для лазерных систем средней ИК-области спектра [12], детекторы СВЧ-излучения на основе BeO для термостимулированных экзоэмиссионных дозиметров [13, 14]. Особый интерес представляют обладающие уникальными физическими свойствами неуглеродные нанотрубки, предсказанные на основе BeO [15] и синтезированные на базе Al2O3 [16].

Несомненно, что в случае эмиттирующей структуры «металл– оксид металла» также необходимо рассматривать диэлектрическую пленку оксида как важнейший функциональный элемент, формирующий эмиссионные свойства.

Во-первых, при переходе к тонким пленкам в структуре «металл–диэлектрик» формируются новые закономерности, которые не проявляются в массивных образцах: в диэлектрике возникают управляемые инжекционные и эмиссионные токи [17–19].

Во-вторых, приложение внешнего электрического поля соответствующей полярности (способствующего инжекции электронов из металла в диэлектрик) к тонкому диэлектрическому слою приводит к многочисленным физическим эффектам, обусловленным «сильным электрическим полем» [17–19].

Однако исследования в этих направлениях тонкопленочных эмиттирующих структур «металл–оксид металла» как основы холодных катодов до настоящего времени, за редким исключением, не проводились, что сводило выбор оптимальных составов и материалов к эмпирическому поиску.

В данной монографии описаны результаты комплексного исследования механизмов формирования инжекционно-эмиссионных токов в наноструктурах «металл–оксид металла» Al–Al2O3 и Be– BeO и физико-технических свойств макетов холодных катодов на их основе, предложены физические механизмы управления процессами инжекции и эмиссии электронов в исследованных структурах. Проведенные авторами аналитические и экспериментальные исследования могут быть использованы для научно обоснованного создания высокоэффективных холодных катодов на основе наноструктур, содержащих в качестве важнейшего функционального элемента диэлектрическую пленку.

ЛИТЕРАТУРА

1. Ненакаливаемые катоды / Под ред. М.И. Елинсона. — М., 1974.

2. Коржавый А.П., Марин В.П., Сигов А.С. Некоторые аспекты создания технологий и конструкций изделий квантовой электроники // Наукоемкие технологии. — 2002. — Т.3. — №4. — С.20–31.

3. Семенова В.Б., Коржавый А.П. Методы разработки и конструктивные особенности электродных систем современных газовых лазеров // Обзоры по электронной технике. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника. — 1982. — Вып.3(900). — 72 с.

4. Киселев А.Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. — М.: Изд-во МФТИ, 2002. — 240 с.

5. Добрынин А., Казаков Н.П., Найда Г.А. и др. Нитрид алюминия в электронной технике // Зарубежная электроника. — 1989. — №4. — С.44–84.

6. Костенко В.И., Серегин В.С., Грошкова Л.А. и др. Перспективы использования высокотемпературной керамики из нитрида алюминия в космическом приборостроении // Вопросы миниатюризации в современном космическом приборостроении: Труды семинара ИКИ РАН. — Таруса, 2004. — С.250–256.

7. Шулаков А.С., Брайко А.П., Букин С.В. и др. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si // Физика твердого тела. — 2004. — Т.46. — Вып.10. — С.1868–1872.

8. Ежовский Ю.К., Клусевич А.И. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия // Физика твердого тела.

— 2003. — Т.45. — Вып.11. — С.2099–2103.

9. Прудан А.М., Гольман Е.К., Козырев А.Б. и др. Свойства титаната стронция в многослойной структуре SrTiO3/CeO2/Al2O3 // Физика твердого тела. — 1997. — Т.39. — Вып.6. — С.1024–1029.

10. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Т.34. — Вып.8. — С.1014–1019.

11. Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т.37. — Вып.10. — С.1231–1234.

12. Makarenko S., Sekirin I. Control of reflectance spectrum of BeO ceramics surface // Intern. Symp. Molecular Spectroscopy Abstr. Columbus, Ohio, USA. — 1997. — P.RG103.

13. Кийко В.С., Софронов А.А., Макурин Ю.Н. и др. Применение керамики BeO + TiO2 в различных областях техники и специального приборостроения // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: Матер. V Межд. конф. Кисловодск, 2005. — Ставрополь: СевКавГТУ, 2005. — С.34–35.

14. Кийко В.С., Макурин Ю.Н., Балакирев В.Ф. Состав и свойства промышленной керамики из оксида бериллия // Химическая технология.

— 2004. — №1. — С.7–9.

15. Сорокин П.Б., Федоров А.С., Чернозатонский Л.А. Структура и свойства нанотрубок BeO // Физика твердого тела. — 2006. — Т.48.

— Вып.2. — С.373–376.

16. Lee J.S., Min B., Cho K. etc. Al2O3 Nanotubes and Nanorods Fabricated by Coating and Filling of Carbon Nanotubes with Atomic-layer Deposition // J. Cryst. Growth. — 2003. — Vol.254. — P.443–448.

17. Технология тонких пленок: Справочник / Ред. Л. Майселл, Р. Глэнг.

— М.: Сов. радио, 1977. — Т.1, 664 с.; Т.2, 768 с.

18. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. — М.: Мир, 19. Туннельные явления в твердых телах / Ред. Э. Бурштейн, С. Лундквист. — М.: Мир, 1973. — 367 с.

20. Беннет В. Газовые лазеры. — М., 1964. — 119 с.

21. Хивенс О.С. Оптические квантовые генераторы // Успехи физич. наук. — 1963. — Т.81. — Вып.3. — С.148–173.

22. Кочмарек Ф. Введение в физику лазеров. — М.: Мир, 1981. — 248 с.

23. Грановский В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток. — М., 1971.

24. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда. — М., 1961.

25. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. — М.: Наука, 1987. — 592 с.

26. Лисовский В.А., Яковин С.Д. Характеристики катодного слоя тлеющего разряда низкого давления в аргоне и азоте // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т.26. — Вып.19. — С.88–94.

27. Азаров А.В., Очкин В.Н. О роли коэффициента эмиссии в нормальном тлеющем разряде // Препринт ФИАН №36. — М., 2003. — 30 с.

28. Добрецов А.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. — М.:

Наука, 1966. — 564 с.

29. Привалов В.Е., Фридрихов С.А. Кольцевой газовый лазер // Успехи физич. наук. — 1969. — Т.97. — Вып.3. — С.377.

30. Померанцев Н.М., Скроцкий Г.В. Физические основы квантовой гироскопии // Успехи физич. наук. — 1970. — Т.100. — Вып.3. — С.361.

31. Fein E., Salisbury W. Integrated construction of low-cost gas lasers // Applied Optics. — 1977. — Vol.16. — №8. — P.2308–2314.

32. Коржавый А.П., Кристя В.И. Физические процессы в прикатодной области тлеющего разряда и прогнозирование долговечности катодных материалов для отпаянных приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. — 1988. — Вып.7(1403). — 40 с.

33. Савельев А.М., Соловьева Т.И. Состояние лазерной гироскопии за рубежом // Зарубежная радиоэлектроника. — 1981. — №8. — С.77–92.

34. Бычков Н.А. Научно-методическое обеспечение управления качеством холодных катодов на этапе разработки и организации производства // Наукоемкие технологии. — 2004. — №1. — С.29–34.

35. Korzhavyi A.P. Advanced metallic materials for vacuum devices // Journal of Advanced Materials. — 1994. — Vol.1(1). — P.13–15.

36. Chance D.A., Brusio V., Crawford V.S. Cathodes for He–Ne-lasers // IBM J. Res. Develop. — 1979. — Vol.23. — №2. — P.119–127.

37. Ford C.M. Европейский патент 0212463. Gas discharge device. — 1986.

38. Ramsey K.J. Патент США 4 595.377. Cold cathode fabrication for ring laser gyroscope. — 1986.

39. Коржавый А.П. Материалы с высокой устойчивостью к распылению на основе легких металлов для холодных источников электронов // Наукоемкие технологии. — 2001. — Т.2. — №4. — С.29–32.

40. Актон Д.Р., Свифт Д.Д. Газоразрядные лампы с холодным катодом.

— М.: Энергия, 1965. — 480 с.

41. Москалев Б.И. Разряд с полым катодом. — М.: Энергия, 1972. — 526 с.

42. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Брыкайло И.Н. Коаксиальный полый катод для гелий-неоновых лазеров // Вестник Киевского университета. Физика. — 1983. — Вып.24. — С.85–89.

43. Боярчиков О.А., Соболев В.Д., Шипалов А.С. Выбор оптимальной длины полого цилиндрического разряда // Электронная техника.

Сер. Газоразрядные приборы. — 1971. — Вып.3(23). — С.18–21.

44. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В., Макосевская Л.Н. Исследование тлеющего разряда с секционированными полыми катодами // Украинский физич. журнал. — 1972. — Т.17. — №12. — С.2063–2065.

45. Ткаченко В.М., Тютюнник В.Б. Исследование параметров плазмы в разряде с цилиндрическим полым катодом в гелии // Журнал технической физики. — 1976. — Т.46. — С.1449–1458.

46. Белик В.А., Коржавый А.П., Лазарева Л.В. Особенности конструкций холодных катодов миниатюрных газовых лазеров // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1977. — Вып.4. — С.29–35.

47. Кучеренко Е.Т. Получение окисных пленок алюминия переменной толщины в плазме газового разряда // Вакуумные технологии и оборудование. — Харьков, 2001. — С.279–282.

48. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В. Исследование холодных катодов на основе диэлектрических пленок // Вестник Киевского университета.

Физика. — 1986. — Вып.27. — С.73.

49. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В., Тищенко В.Г. Холодный алюминиевый катод для гелий-неонового лазера // Вiсник Киiвского унiверситету.

— 1971. — №12. — С.122.

50. Ананьин В.С., Беляев В.А., Покосовский Л.Н. Поведение окисных пленок алюминия в тлеющем разряде // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 1972. — Вып.2. — С.54–62.

51. Суховский В.Н., Коржавый А.П., Кочурихин В.Е. Нитриды переходных металлов — перспективные матералы для долговечных пленочных катодов // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1989. — Вып.6. — С.70–71.

52. Прасицкий В.В. Современные катоды для отпаянных приборов // Электронная промышленность. — 1996. — №3. — С.91–92.

53. Бондаренко Г.Г., Лищук Н.В. Химические и электрохимические способы повышения долговечности холодных катодов // Физика и химия обработки материалов. — 1998. — №3. — С.96–98.

54. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Айвазов В.Я. Исследование тлеющего разряда с холодным катодом, покрытым диэлектрическими пленками // Радиотехника и электроника. — 1979. — Т.24. — №7. — С.1461–1466.

55. Мирзоева С.Д., Звонецкий В.И., Шишков А.В. Влияние активных добавок на эмиссионные свойства композиционных пленочных эмиттеров // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1980. — Вып.3.

— С.67–69.

56. Аристархова А.А., Дмитриевский Ю.Е., Крютченко О.Н. Вторичноэмиссионные свойства и дефектообразование в оксидном покрытии холодных катодов из сплавов алюминия // Электронная техника.

Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 1993. — Вып.4(139). — С.5.

57. Крютченко О.Н., Маннанов А.В., Носов А.А. Механизмы проводимости оксидного покрытия холодных катодов газоразрядных приборов // Поверхность. Физика. Химия. Механика. — 1994. — №6. — С.93–99.

58. Крютченко О.Н., Маннанов А.В., Носов А.А. Механизм деградации поверхности холодного катода в гелий-неоновых лазерах // Радиотехника и электроника. — 1996. — Т.11. — №8. — С.990–994.

59. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. Ионно-плазменное напыление алюминиевых и бериллиевых покрытий на внутренние поверхности полых цилиндрических катодов // Металлы. — 1995. — №5. — С.167–171.

60. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Кристя В.И. и др. Влияние рельефа поверхности на ионное распыление материалов катодов газоразрядных лазеров // Металлы. — 1993. — №3. — С.97–100.

61. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Кристя В.И. и др. Теоретическое рассмотрение физического распыления материала катода гелийнеонового лазера // Металлы. — 1996. — №5. — С.54–60.

62. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Влияние зарядки поверхности на коэффициент вторичной электронной эмиссии композиционных катодов // Радиотехника и электроника. — 1995. — Вып.11.

— С.1692–1695.

63. Дерюгина Е.О., Пролейко Э.П. Метод создания катодов для датчиков лазерных гироскопов // Наукоемкие технологии. — 2002. — №5. — С.6–18.

64. Szapizo B., Rocca J.J., Prabhuzam T. Electron yield of glow discharge cathode materials under helium ion bombardment // Appl. Phys. Lett. — 1988. — Vol.53. — №5. — P.358–360.

65. Helm H. Experimental measurements of the current balance at the cathode of a cylindrical hollow cathode glow disharge // Beitz. Plasma Phys. — 1979. — Vol.19. — №4. — P.233–257.

66. Ивлев А.М., Коржавый А.П., Москвина А.И. Долговечность алюминиевых катодов при малых давлениях газа // Электронная техника.

Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 1979. — Вып.8.

— С.67–72.

67. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Влияние неравномерной толщины диэлектрической пленки вдоль поверхности холодного катода на характеристики ионного потока в катодном слое тлеющего разряда // Радиотехника и электроника. — 1991. — Т.36. — №3. — С.559–563.

68. Аитов Д.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Эмиссионные свойства холодных катодов с оксидной пленкой на поверхности для отпаянных газоразрядных приборов // Обзоры по электронной технике.

Сер. Материалы. — 1991. — Вып.5(1612). — 47 с.

69. Коржавый А.П., Файфер С.И. Новые методы получения полых цилиндрических катодов // Электронная промышленность. — 1980. — Вып.3(87). — С.15–17.

70. Бондаренко Г.Г., Бажин А.И., Коржавый А.П. Определение потенциала поверхности диэлектрического слоя на мишени, бомбардируемой ионным пучком // Журнал техн. физики. — 1998. — Т.68. — №9. — С.126–128.

71. Дефекты и физические свойства многокомпонентных электронных материалов // Никифоров К.Г., Коржавый А.П., Горбачев В.В. и др. / Ред. К.Г. Никифоров. — Калуга: Изд-во КГПУ, 1999. — 215 с.

72. Бондаренко Г.Г., Жданов С.М., Коржавый А.П. и др. Поведение металлических композиций на основе меди и алюминия в условиях длительной ионно-электронной бомбардировки // Перспективные материалы. — 1999. — №3. — С.29–39.

73. Барышев В.Г., Бычков Н.А., Коржавый А.П. Технические аспекты миниатюризации холодных источников электронов // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Сб. трудов Всеросс. научно-технич. конф. — М., 2000. — С.123–124.

74. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. Влияние ионной бомбардировки на работоспособность металлических материалов катодов газовых лазеров // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах: Матер. 2-ой Межд. конф. — Томск, 2000. — С.23–25.

75. Коржавый А.П. Материалы с высокой устойчивостью к распылению на основе легких металлов для холодных источников электронов // Наукоемкие технологии. — 2001. — №4. — С.29–32.

76. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Степанов В.А. и др. Оптимизация конструкции катодного узла малогабаритных гелий-неоновых лазеров // Лазерная техника и оптоэлектроника. — 1993. — Вып.1–2(68–69).

— С.80–83.

77. Петров Н.Н., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1977. — 159 с.

78. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. — М.: Наука, 1977. — 552 с.

79. Войцеховский А.В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. — Томск: Радио и связь, 1990. — 327 с.

80. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А. Особенности взаимодействия плазмы газового разряда с поверхностью холодного катода // Радиотехника и электроника. — 1992. — Т.7. — №1. — С.1716–1718.

81. Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. — М.: Наука, 1979. — 82. Ананьин В.С. Исследование физических свойств холодных катодов и разработка технологии изготовления, обеспечивающей долговечность гелий-неоновых лазеров / Дисс. на соискание учен. ст. канд.

техн. наук — Рязань, 1978. — 212 с.

83. Коржавый А.П., Файфер С.И., Бажин А.И. Исследование некоторых свойств холодных катодов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. — 1974. — Вып.7. — С.3–9.

84. Васильковская Е.А. Пленочные катоды типа «сэндвич» // Обзоры по электронной технике. Сер.8. Электроника СВЧ. — 1970. — Вып.7(277).

85. Крютченко О.Н., Степанов В.А., Чижиков А.Е. Некоторые особенности изготовления холодных катодов из MgO // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1982. — Вып.12. — С.7–11.

86. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Эмиссионные свойства холодных катодов с оксидной пленкой на поверхности для отпаянных газоразрядных приборов // Обзоры по электронной технике.

Сер.6. Материалы. — 1991. — Вып.5(1612). — 47 с.

87. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А. и др. Исследование динамического потенциала поверхности холодного катода в тлеющем разряде // Электронные приборы: Межвуз. сб. науч. трудов. — Рязань: РРТИ, 1992. — С.23–26.

88. Коржавый А.П., Кристя В.И., Суховский В.Н. Расчет толщины пленки, получаемой на внутренней стороне цилиндра // Взаимодействие ионов с поверхностью: Тез. докл. Х Всес. конф. Т.1. — М., 1991. — С.185–186.

89. Авдошин В.П., Василенко Ю.А., Кочурихин В.Е. Исследование пористости пленок нитрида алюминия на металле // Журнал физической химии. — 1984. — Т.58. — №8. — С.1501–1505.

90. Hall L.N. Lifetimes of cold cathodes for helium-neon gas lasers // J. Appl.

Phys. — 1988. — Vol.64. — №5. — P.2631–2637.

91. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Ред. Р. Бериш. — М.: Мир, 1984. — 336 с.

92. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Ред. Р. Бериш. — М.: Мир, 1986. — 488 с.

93. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. — М.: Атомиздат, 1968. — 94. Шульга В.И. Угловые зависимости и механизмы распыления (машинное моделирование) // Поверхность. — 1982. — №3. — С.38–41.

95. Райзер Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов.

— М.: Наука, 1980. — 416 с.

96. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. — М.: Наука, 1967. — 506 с.

97. Коржавый А.П., Кристя В.И., Прасицкий В.В. Модель катодного распыления в смеси газов // Диагностика поверхности ионными пучками: Тез. докл. V Всес. совещания-семинара. — Донецк, 1988.

98. Коржавый А.П., Пролейко Э.П., Файфер С.И. Холодные катоды для ГРП // Электронная промышленность. — 1973. — №4. — С.23.

99. Мартыненко Т.Н. Распыление пористых материалов // Журн. техн.

физики. — 1968. — Т.38. — №4. — С.759–760.

100. Морозов В.В., Тесаков В.С., Шлюко В.Я. Катодное распыление пористого гексаборида лантана // Журнал техн. физики. — 1977. — Т.47. — №12. — С.2526–2529.

101. Дозован А.А. Распыление пористых тел с порами сферической формы ускоренными ионами // Диагностика поверхности ионными пучками: Тез. докл. V Всес. совещания-семинара. — Донецк, 1988. — С.118–119.

102. Диглинский А.Г., Измайлов А.М., Кучинский В.В. и др. Нарушение изотропности движения атомов металла в плазме // Журнал техн.

физики. — 1987. — Т.57. — №9. — С.1741–1745.

103. Коржавый А.П., Кристя В.И., Лищук Н.В. и др. Распределение распыляемых атомов в объеме тлеющего разряда // Вторичная ионнофотонная эмиссия: Тез. докл. V Всес. семинара. Ч.2. — Харьков, 1986. — С.78–79.

104. Раджабов Т.Д., Искандерова З.А. Взаимодействие газовых ионов с постоянно возобновляемыми поверхностями // Физические явления при бомбардировке твердого тела атомными частицами: Матер. Всес.

конф. Кн.2. — Ташкент, 1974. — С.13–17.

105. Азаров А.А., Пожарский В.А., Шипалов А.С. К вопросу жестчения газа в приборах тлеющего разряда // Электронная техника. Сер.

Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 1986. — №4. — С.42–44.

106. Коржавый А.П., Рожков А.М., Прозоров А.Н. Некоторые вопросы ионно-электронной эмиссии твердых тел и разработки холодных катодов квантовых приборов // Обзоры по электронной технике. Сер.

Материалы. — 1986. — Вып.4(1194). — С.35.

107. Голяев Ю.Д., Дроздов М.С., Коржавый А.П. Расширение областей применения зеемановского лазерного гироскопа ЗЛК-16-1 // Технология гироскопии и навигации: Матер. Межд. конф. — Петербург, 2000. — С.13–24.

108. Валахов Е.П., Ковалев А.С., Рахимов А.Т. Физические явления в газоразрядной плазме. — М.: Наука, 1987. — 160 с.

109. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Айвазов В.Я. Исследование тлеющего разряда с холодными катодами, покрытыми диэлектрическими пленками // Радиотехника и электроника. — 1979. — Т.24. — №7.

— С.1464–1466.

110. Рахимов Р., Гаипов С., Абулханов И. Исследование энергетического спектра электронов, эмиттированных с щелочно-галоидных кристаллов при бомбардировке ионами и атомами гелия и неона // Физические явления при бомбардировке твердого тела атомными частицами: Матер. научн. семинара. — Ташкент, 1973. — С.109–123.

111. Takeishi Y. Ejection of electrons from barium oxide by noble gas ions // J. Phys. Soc. Jap. — 1987. — Vol.17. — №2. — P.326–341.

112. Бондаренко Г.Г., Бонк О.Г., Кристя В.И. Влияние переосажденных атомов на динамику распределения их потока вдоль поверхности полого катода в тлеющем разряде // Известия РАН. Сер. Физическая.

— 2000. — Т.64. — №4. — С.752–755.

113. Бонк О.Г., Кристя В.И. Моделирование переосаждения распыленного вещества на мишень по ступенчатым поверхностным рельефам, распыляемого в плазме тлеющего разряда // Поверхность. — 2001. — №5. — С.40–44.

114. Бондаренко Г.Г., Бонк О.Г., Кристя В.И. и др. Расчет переосажденного вещества на сетчатый холодный катод в тлеющем разряде // Металлы. — 2001. — №3. — С.83–84.

115. Vandamme L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of electronic devices // IEEE Trans. Electron Devices. — 1994. — Vol.41.

— №11. — P.2176–2187.

116. Ван дер Зил А. Шум. Источники. Описание. Измерение. — М.: Сов.

радио, 1973. — 176 с.

117. Бендат Дж., Пирсол А. Измерения и анализ случайных процессов.

— М.: Мир, 1974. — 463 с.

118. Морозов А.И., Сигов А.С. Взаимодействие дефектов и 1/f-шум в металлах // Физика твердого тела. — 1992. — Т.34. — №2. — С.457–460.

119. Bertotti G., Celasco M., Fiorillo F. Application of the current noise technique to the investigation on dislocations in metals during plastic deformation // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol.50. — №11. — P.6948– 120. Ralls K.S., Buhrman R.A. Microscopic study of 1/f-noise in metal nanobridges // Phys. Rev. B. — 1991. — Vol.44. — №11. — P.5800–5817.

121. Hooge F.N., Kedzia J., Vandamme L.K.J. Boundary scattering and 1/f-noise // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol.50. — №12. — P.8087–8089.

122. Verbruggen A.H., Koch R.H., Umbach C.P. Correlation between 1/f-noise and grain boundaries in thin Au films // Phys. Rev. B. — 1987. — V.35.

— №11. — P.5864–5867.

123. Koch R.H., Lloyd J.R., Cronin J. 1/f-noise and grain-boundary diffusion in Al and Al alloys // Phys. Rev. Lett. — 1985. — Vol.55. — №22. — P.2487–2490.

124. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум // Успехи физич. наук.

— 1985. — Т.145. — №2. — С.285–328.

125. Weissman M.B. 1/f-noise other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. — 1988. — Vol.60. — №2. — P.537–571.

126. Brophy J.J. Low-frequency variance noise // J. Appl. Phys. — 1970. — Vol.41. — №7. — P.39–43.

127. Greenstein L.J., Brophy J.J. Influence of lower cutoff frequency on measured variance of 1/f-noise // J. Appl. Phys. — 1969. — Vol.40. — №2. — P.211–214.

128. Hooge F.N., Hoppenbrouwers A.M.F. Contact noise // Physica. — 1969.

— Vol.45. — P.386–393.

129. Hooge F.N. 1/f-noise modeling // Physica B. — 1990. — Vol.162. — P.343–347.

130. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M, Vandamme L.K.J. Experimental studies of 1/f-noise // Rep. Prog. Phys. — 1981. — Vol.44. — P.481–484.

131. Eberhard J.W., Horn P.M. Excess 1/f-noise in metals // Phys. Rev. B. — 1978. — Vol.18. — №12. — P.6681–6693.

132. Black R.D., Snow W.M., Weissman M.B. Nonscalar 1/f-conductivity fluctuations in carbon, gold and chrome films // Phys. Rev. B. — 1982. — Vol.25. — №4. — P.2955–2958.

133. Voss R.F., Clarke J. Flicker 1/f-noise: Equilibrium temperature and resistance fluctuations // Phys. Rev. B. — 1976. — Vol.13. — P.556–576.

134. Black R.D., Weissman M.B., Fliegel F.M. 1/f-noise in metal films lacks spatial correlation // Phys Rev. B. — 1981. — Vol.24. — №12. — P.7454–7456.

135. Карпов Ю.С. Низкочастотные шумы плоскостных транзисторов // Изв. ЛЭТИ. — 1963. — Вып.51. — С.32–44.

136. Pelz J., Clarke J. Dependence of 1/f-noise on defects induced in copper films by electron irradiation // Phys. Rev. Let. — 1985. — Vol.55. — №7. — P.738–741.

137. Fleetwood D.M., Giоrdanо N. Effect of strain on the 1/f-noise of metal films // Phys. Rev. B. — 1983. — Vol.28. — №6. — P.3625–3627.

138. Fleetwood D.M., Giоrdanо N. Experimental study of excess lowfrequency noise in tin // Phys. Rev. B. — 1982. — Vol.25. — №2. — P.1427–1430.

139. Van de Voorde P., Iddings C.K., Love W.F. Structure in the flicker-noise power spectrum of n-InSb // Phys. Rev. B. — 1979. — Vol.19. — P.4121–4124.

140. Vandamme L.K.J. 1/f-noise in homogeneous single crystals of III–V compounds // Phys. Let. — 1974. — Vol.A49. — P.233–234.

141. Vandamme L.K.J., Kedzia J. Concentration, mobility and 1/f-noise of electrons and holes in thin bismuth films // Thin Sol. Films. — 1980. — Vol.65. — №3. — P.283–292.

142. Саllоуanides M.A. Microcycle spectral estimates of 1/f-noise in semiconductors // J. Appl. Phys. — 1974. — Vol.45. — №1. — P.307–316.

143. Андреев В.Н., Захарченя Б.П., Капшин Ю.С. и др. Высокочастотные характеристики и электронный шум в VO2 // ЖЭТФ. — 1980. — Т.79. — С.1353–1358.

144. Fleetwood D.M., Giоrdanо N. Resistivity dependence of 1/f-noise in metal films // Phys. Rev. B. — 1983. — Vol.27. — №2. — P.667–671.

145. Scofield J.H., Darling D.H., Webb W.W. Exclusion of temperature fluctuations as the source of 1/f-noise in metal films // Phys. Rev. B. — 1981.

— Vol.24. — №12. — P.7450–7453.

146. Clarke J., Hsiang Т. Low-frequency noise in tin and lead films at the superconducting transition // Phys. Rev. B. — 1976. — Vol.13. — №11. — P.4790–4800.

147. Williams J.L., Stоne I.L. Current noise in thin discontinuous films // J. Phys.

C. — 1972. — Vol.5. — №16. — P.2105–2116.

148. Di1mi Т., Сhоvet A., Viktоrоviсh P. Influence of a magnetic field on 1/f-noise in ambipolar semiconductors: Evidence of its surface origin // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol.50. — №8. — P.5348–5351.

149. Voss R.F. 1/f-noise and percolation in impurity bands in inversion layers // J. Phys. C. — 1978. — Vol.11. — №23. — P.L923–L926.

150. Eberhard J.W., Horn P.M. Temperature Dependence of 1/f-Noise in Silver and CopperTemperature Dependence of 1/f-Noise in Silver and Copper // Phys. Rev. B. — 1977. — Vol.39. — P.643–646.

151. Dutta P., Horn P.M. Low-requency fluctuations in solids: 1/f-noise // Rev. Mod. Phys. — 1981. — Vol.53. — №3. — P.497–515.

152. Fleetwood D.M., Beutler D.E., Masden J.T. Role of temperature in sample-to-sample comparisons of the 1/f-noise of metal films // J. Appl. Phys.

— 1987. — Vol.61. — №12. — P.5308–5313.

153. Жигальский Г.П. Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках // Успехи физич. наук. — 1997. — Т.167. — №6. — С.623–646.

154. Beck H.G.E., Spruit W.P. 1/f-noise in the variance of Johnson noise // J. Appl. Phys. — 1978. — Vol.49. — №6. — P.3384–3385.

155. Hooge F.N. Discussion of recent experiments on 1/f-noise // Physica B.

— 1972. — Vol.60. — №1. — P.130–144.

156. Scofield J.H., Mantese J.V., Webb W.W. Temperature dependence of noise processes in metals // Phys. Rev. B. — 1986. — Vol.34. — №2. — P.723–731.

157. Stephany J.F. Origin of 1/f-noise in metallic conductors and semiconductors // Phys. Rev. — 1992. — Vol.46. — №19. — P.12175–12180.

158. Бочков Г.Н., Кузовлев Ю.Е. Новое в исследованиях 1/f-шума // Успехи физич. наук. — 1983. — Т.141. — №1. — С.157–177.

159. Weissman M.B. 1/f-noise other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. — 1988. — Vol.60. — №2. — P.537–571.

160. Zimmerman N.M., Scofield J.H., Mantese J.V. Volume versus surface origin of 1/f-noise in metals // Phys. Rev. — 1986. — Vol.34. — №2. — P.773–777.

161. Voss R.F., Clarke J. 1/f-noise from system in thermal equilibrium // Phys.

Rev. Let. — 1976. — Vol.36. — №1. — P.42.

162. Orlov V.B., Yakimov A.V. Fluctuations in hot charge carriers mobility and 1/f-noise in semiconductors // Physica B. — 1989. — Vol.154. — №2. — P.175–180.

163. Fleetwood D.M., Giоrdanо N. Direct link between 1/f-noise and defects in metal films // Phys. Rev. B. — 1985. — Vol.31. — №2. — P.1157–1160.

164. Di1mi Т., Сhоvet A., Viktоrоviсh P. Influence of a magnetic field on 1/f-noise in ambipolar semiconductors: Evidence of its surface origin // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol.50. — №8. — P.5348–5351.

165. Zimmerman N.M., Webb W.W. Microscopic scatterer displacements generate the 1/f-resistance noise of H in Pd // Phys. Rev. Lett. — 1988. — Vol.61. — №7. — P.889–892.

166. Johnson W.C. Study of Electronic Transport and Breakdown in thin insulating films // Princeton Univ. Techn. Rep. — 1978. — №7. — 21 p.

167. Specht M., Stadele M., Jakschik S. Transport mechanisms in atomiclayer-deposited Al2O3 dielectrics // Applied Phys. Lett. — 2004. — Vol.84. — №3. — P.3076–3078.

168. Шулаков А.С., Брайко А.П., Букин С.В. и др. Рентгеноспектральный анализ межфазовой границы тонкой пленки Al2O3, синтезированной на кремнии методом молекулярного наслаивания // Физика твердого тела. — 2004. — Т.46. — Вып.6. — С.1111–1114.

169. Brewer J.C., Walters R.J., Bell L.D. etc. Determination of Energy Barrier Profiles for High-k Dielectric Materials Utilizing Bias-dependent Internal Photoemission // Appl. Phys. Lett. — 2004. — Vol.85. — P.4133–4135.

170. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim Tunneling in Anodized Al–Al2O3–Au Diodes // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol.87. — №11. — P.7903–7912.

171. Hickmott T.W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltagecontrolled negative resistance in anodized Al–Al2O3–Au // J. Appl. Phys.

— 2000. — Vol.88. — №5. — P.2805–2812.

172. Lee M.B., Hahm S.H., Lee J.H. Emission behavior of nm-thick Al2O film-based planar cold cathodes for electronic cooling // Applied Phys.

Lett. — 2005. — Vol.86. — №12. — P.3511–3513.

173. Mazur U., Wang X.D., Hipps K.W. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of Infused Al–Al2O3–M–Au Junctions // Anal. Chem. — 1992.

— Vol.64. — P.1845–1850.

174. Kim J.S., Hoshi T., Sawada K. Planar MIS Type Field Emitter Fabricated on Epitaxial Al/Al2O3/Si(111) Structure // Vacuum Microelectronics:

16th Intern. Conf. Proceeds. — Osaka, Japan, 2003. — P.2–38.

175. Mahdjoub A., Bouredoucen H. PL characterization of Al/Al2O3/InP MIS Structures Passivated by Anodic Oxidation // Semicond. Phys. Quant.

Optics & Optoel. — 2004. — Vol.7. — №4. — P.436–440.

176. Simmons J.G., Unterkofler G.H., Allen W.W. Temperature characteristics of BeO tunneling structures // Appl. Phys. Lett. — 1963. — Vol.2. — №4. — P.78–80.

177. Григорьев И.С., Мелихов Е.З. Физические величины: Справочник. — М.: ЭАИ, 1991. — 1232 c.

178. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых окислов металлов. — М.: Наука, 1983.

179. Физико-химические свойства окислов / Ред. Г.В. Самсонов. — М.:

Металлургия, 1978. — 472 с.

180. Беляев Р.А. Окись бериллия. — М.: Атомиздат, 1980. — 224 с.

181. Химическая энциклопедия. Том 1 / Ред. И.Л. Кнунянц. — М.: Сов.

Энц., 1988. — 623 с.

182. Самсонов А.В., Кореньков А.Ю., Габис И.Е., Курдюмов А.А. Лимитирующая роль десорбции в транспорте водорода через напыленную пленку бериллия // Журнал технической физики. — 1998. — Т.68. — №1. — С.128–130.

183. Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Бондарь И.А. и др. Диаграммы состояния силикатных систем. — Л.: Наука, 1970.

184. Кислов А.Н., Мазуренко В.Г., Корзов К.Н. и др. Динамика решетки кристаллов корунда с вакансиями в различных зарядовых состояниях // Физика твердого тела. — 2003. — Т.45. — Вып.9. — С.1696–1699.

185. Зацепин Д.А., Черкашенко В.М., Кумаев Э.З. и др. Рентгеноэмиссионное исследование электронной структуры нанокристаллического Al2O3 // Физика твердого тела. — 2004. — Т.46. — Вып.11. — С.2064–2068.

186. Breval E., Aghajanian M.K., Biel J.P. Structure of AlN/Al and Al2O3/Al composites obtained by direct Al oxidation // J. Amer. Cer. Soc. — 1993.

— Vol.76. — №7. — P.1865–1868.

187. Погребняк А.Д., Тюрин Ю.Н. Структура и свойства покрытия из Al2O3 и Al, осажденных микродуговым оксидированием на подложку из графита // Журнал технической физики. — 2004. — Т.74. — Вып.8. — С.109–112.

188. Погребняк А.Д., Тюрин Ю.Н., Иванов Ю.Ф. и др. Получение и исследование структуры и свойств плазменно-детонационных покрытий из Al2O3 // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т.26. — Вып.21. — С.53–60.

189. Горбунов С.В., Зацепин А.Ф., Пустоваров В.А. и др. Электронные возбуждения и дефекты в наноструктурном Al2O3 // Физика твердого тела. — 2005. — Т.47. — Вып.4. — С.708–712.

190. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. Особенности кинетики термостимулированной люминесценции кристаллов -Al2O3 с дефектами // Физика твердого тела. — 1997. — Т.39. — Вып.9. — С.1538–1544.

191. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия // Физика твердого тела. — 2003. — Т.45. — Вып.7. — С.1202–1208.

192. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. Фототрансферная термолюминесценция в анион-дефектных кристаллах -Al2O // Физика твердого тела. — 2004. — Т.46. — Вып.12. — С.2143– 193. Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С., Кортов В.С. Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 eV в монокристаллах -Al2O3 // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т.32. — Вып.2. — С.21–27.

194. Горбунова М.А., Софронов А.А., Кийко В.С. и др. Моделирование влияния температурной зависимости параметров кристаллической решетки на зонную структуру монооксида бериллия BeO // Электронный журнал «Исследовано в России». — 2005. — C.2376–2380.

— http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/231.pdf.

195. Пустоваров В.А., Иванов В.Ю., Кирм М. и др. Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия // Физика твердого тела. — 2001. — Т.43. — Вып.7. — С.1189–1195.

196. Горбунов С.В., Яковлев В.Ю. Возбуждение люминесценции автолокализованных экситонов при рекомбинации френкелевских дефектов в BeO // Физика твердого тела. — 2005. — Т.47. — Вып.4. — С.603–607.

197. Горбунов С.В., Баутин К.В., Яковлев В.Ю. и др. Метастабильное оптическое поглощение релаксированных электронных возбуждений в кристаллах BeO–Zn // Физика твердого тела. — 1999. — Т.41. — Вып.4. — С.601–605.

198. Баутин К.В., Горбунов С.В., Яковлев В.Ю. и др. Метастабильное оптическое поглощение возбужденных F-центров в кристаллах BeO // Физика твердого тела. — 2000. — Т.42. — Вып.4. — С.652–654.

199. Софронов А.А., Еняшин А.Н., Кийко В.С. и др. Модификация электронной структуры оксида бериллия примесями замещения LiBe и BBe // Электронный журнал «Исследовано в России». — 2003. — C.1693–1700. — http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/142.pdf.

200. Белых Т.А., Огородников И.Н., Поротников А.В. и др. Изменение свойств монокристаллов BeO и LiB 3O5 при облучении ионами гелия // Физика и химия обработки материалов. — 1997. — №6. — С.27–32.

201. Czerski K., Schiwietz G., Roth M. etc. Non-equilibrium emission of secondary ions from BeO films sputtered by swift gold ions // Nuclear Instr. Meth. in Phys. Res. B. — Vol.225. — №1–2. — P.72–77.

202. Адирович Э.B. Эмиссионные токи в твердых телах и диэлектрическая электроника / Ред. Ф.В. Лукин // Микроэлектроника. Вып.3.— М., 1969. — С.393–412.

203. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники.

— Новосибирск: Изд-во НГУ, 2000. — 444 с.

204. Гуртов В.А. Электронные процессы в структурах «металл–диэлектрик–полупроводник». — Петрозаводск: Изд-во ПГУ, 1984.

205. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. — М.:

206. Соболев В.В., Смирнов С.В., Соболев В.Вал. Вероятность оптических переходов в кристалле Al2O3 в области 9-30 eV // Физика твердого тела. — 2001. — Т.43. — Вып.11. — С.1980–1983.

207. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. Механизм формирования нелинейности дозового выхода термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов -Al2O3 // Физика твердого тела. — 2006. — Т.48. — Вып.3. — С.421–426.

208. Simmons J.G. Tunneling in metal–insulator–metal structure // J. Phys.

Chem. Sol. — 1971. — Vol.32. — P.2581-3.

209. Тагиев Б.Г., Касумов У.Ф., Мусаева Н.Н. Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7: Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик // Физика твердого тела. — 2003. — Т.45. — Вып.3. — С.403–408.

210. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. — М.: Сов.

радио, 1971. — 376 с.

211. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. — М.:

ГИФМЛ, 1958. — 272 с.

212. Фишер Р., Нойман Х. Автоэлектронная эмиссия полупроводников.

— М.: Наука, 1971. — 215 с.

213. Модинос А. Авто-, термо- и вторично-электронная спектроскопия.

— М.: Наука, 1990. — 320 с.

214. Simmons J.G. Low-Voltage Current-Voltage Relationship of Tunnel Junctions // J. Appl. Phys. — 1963. — Vol.34. — №1. — P.238–239.

215. Simmons J.G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film // J. Appl. Phys.

— 1963. — Vol.34. — №6. — P.1793–1803.

216. Франц В. Пробой диэлектриков. — М.: ИЛ, 1961. — 207 c.

217. Гуртов В.А., Райерус П.А., Малиненко В.П. Физика окисных пленок.

— Петрозаводск: Изд-во ПГУ, 1988. — 88 с.

218. Afanas’ev V.V., Stesmans A. Electron Energy Barriers between (100) Si and Ultrathin Stacks of SiO2, Al2O3 and ZrO2 Insulators // Appl. Phys.

Lett. — 2001. — Vol.78. — №20. — P.3073–3075.

219. Новиков Ю.Н. Эффект Пула–Френкеля с учетом многофононной ионизации глубоких центров в аморфном нитриде кремния // Физика твердого тела. — 2005. — Т.47. — Вып.12. — С.2142–2145.

220. Зенгуил Э. Физика поверхности. — М.: Мир, 1990. — 536 с.

221. Белик В.А., Коржавый А.П., Лазарева Л.В. Особенности конструкций холодных катодов миниатюрных газовых лазеров // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1977. — Вып.4. — С.29–35.

222. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. — М.: Наука, 1969. — 407 с.

223. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. — М.: Металлургия, 1995. — 495 с.

224. Термодинамические свойства неорганических веществ / Ред. А.П. Зефиров. — М.: Атомиздат, 1965. — 460 с.

225. Bunnik B.S., Haddeman E.F.C., Thijsse B.J. Molecular dynamics study of Cu deposition on Mo and the effects of low-energy ion irradiation // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. B. — 2002. — Vol.187. — P.57–65.

226. Бохан А.П., Бохан П.А., Закревский Д.Э. Эмиссия электронов в условиях легирования поверхности катода быстрыми частицами рабочего газа // Журнал технич. физики. — 2005. — Т.75. — Вып.9. — С.126–128.

227. Патент №2175804 РФ. Газовый лазер на тлеющем разряде / Коржавый А.П., Фомичев А.А., Чистяков Г.А.

228. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Чистяков Г.А. Поведение композиционных холодных катодов на основе алюминия в тлеющем разряде // Металлы. — 2005. — №3. — С.90–94.

229. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Лалаян Ю.Г. Экологически нормированная технология получения источников электронов из бериллия // Радиационная физика твердого тела: Труды XI Межд. совещ.

Севастополь, Украина, 2001. — М.: НИИ ПМТ, 2001. — С.317–321.

230. Koehler J.S. Vacancies and Interstitials in Metals. — Amsterdam: NorthHolland, 1970. — 182 p.

231. Martin J.B. Electrical Resistivity of some lattice defects in FCC metals observed in radiation damage experiments // J. Phys. F: Metal Phys. — 1972. — Vol.2. — P.842–853.

232. Martin J.B. Electrical Resistivity Due to Structural Defects // Philos.

Mag. — 1971. — Vol.24. — P.555–566.

233. Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах. — М.: Мир, 234. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. — М.: Высшая школа, 1986. — 367 с.

235. Коржавый А.П., Никифоров Д.К. Математическое моделирование 1/f-шума в твердом теле со структурными дефектами // Математика и механика в современном мире: Материалы Всеросс. конф. — Калуга, 2001. — С.190–201.

236. Бондаренко Г.Г., Дерюгина Е.О., Коржавый А.П. и др. Некоторые проблемы создания многослойных структур, эксплуатируемых в условиях воздействия ионной бомбардировки // Межфазная релаксация в полиматериалах: Материалы Межд. научно-техн. конф. — Москва, 2001. — C.244–246.

237. Дерюгина Е.О., Коржавый А.П., Никифоров Д.К. Экологически чистые технологии создания холодных источников электронов // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Труды Всеросс. научно-техн. конф. — Москва, 2001. — C.283–286.

238. Mosina E.V., Nikiforov D.K., Chistyakov G.A. Features of Multilayered Structure Properties Observed in Glow Discharge // Physics of Electronic Materials: Intern. Conf. Proceeds. — Kaluga, Russia, 2002. — Р.372–373.

239. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Физические основы электрофлуктуационной диагностики дефектности металлических пленок // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: Материалы Межд. научно-практ. конф. — Москва, 2003. — С.321–322.

240. Дерюгина Е.О., Никифоров Д.К., Чистяков Г.А. Некоторые электрофизические параметры холодных сэндвич-катодов отпаянных лазеров // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: Материалы Межд. научно-практ. конф. — Москва, 2003. — С.212–215.

241. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Моделирование низкочастотных электронных шумов в металлах как стохастических процессов // Математика в современном мире: Материалы 2-й Росс. научно-практ.

конф. — Калуга, 2004. — С.212–217.

242. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Экологически безопасные тонкопленочные материалы для холодных катодов // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всеросс. научно-техн. конф. — Калуга, 2004. — С.216–217.

243. Nikiforov D.K., Korzhavyi A.P. Features of Physical Properties of Al-based Hardening Surfaces in Glow Discharge of Inert Gases // Physics of Electronic Materials: 2nd Intern. Conf. Proceeds. — Kaluga, Russia, 2005. — Р.216–219.

244. Дерюгина Е.О, Никифоров Д.К., Чистяков Г.А. Физико-химические свойства материала холодного катода в обеспечении ресурса He–Neлазеров // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всеросс. научно-техн.

конф. — Москва, 2005. — С.88–91.

245. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Марин В.П. и др. Новые технологии для повышения надежности элементов лазерных систем экологического мониторинга // Наукоемкие технологии. — 2006. — Т.7.

— №4–5. — С.64–66.

246. Бондаренко Г.Г., Никифоров Д.К., Стрельченко С.С. и др. Особенности разрушения тонкопленочных покрытий холодных катодов в газовом разряде // Радиационная физика твердого тела: Труды XVI Межд. совещ., Севастополь, Украина. — Москва: НИИПМТ, 2006.

— С.327–330.

247. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Моделирование процессов инжекции и эмиссии электронов в эмиттирующих наноструктурах Be–BeO // Электронный журнал «Исследовано в России», 092. — 2006. — C.875–881. — http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/092.pdf.

248. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Физические процессы в эмиттирующих наноструктурах «металл–оксид металла» // Вестник Калужского университета. — 2006. — №2. — С.9–16.

249. Никифоров Д.К. Эмиттирующие тонкопленочные структуры Al– Al2O и Be–BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки // Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. — Москва, 2006. — 16 с.

250. Никифоров Д.К. Эмиттирующие наноструктуры Be–BeO в условиях ионной бомбардировки // «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине». Труды VII Межвуз. школы молодых специалистов. — Москва: Изд-во МГУ, 2006. — С.192–196.

251. Реутов А.П., Марин В.П., Никифоров Д.К. и др. Тонкопленочные технологии в сверхвысокочастотных и квантовых приборах // Наукоемкие технологии. — 2006. — Т.7. — №7–8. — С.91–98.

252. Никифоров Д.К.,Чистяков Г.А. Физические процессы в эмиттирующих наноструктурах для моноблочных лазеров // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения (INTERMATIC-2006):

Материалы V Межд. научно-техн. конф., часть 3. — Москва, 2006.

— С.142–146.

253. Бондаренко Г.Г., Никифоров Д.К., Коржавый А.П. и др. Создание эффективных холодных катодов из алюминия и бериллия // Перспективные материалы. — 2007. — Т.1. — №2. — С.23–28.

254. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Вычислительный эксперимент в наноструктурах Be–BeO: процессы переноса в рамках модели ТОПЗ // Вестник Калужского университета. — 2007. — №2.

255. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Компьютерное моделирование инжекционных токов Пула–Френкеля в наноструктурах «металл–оксид металла» // Современные тенденции развития нанотехнологий и наноматериалов: Матер. Межд. конф. — Астрахань, 2007. — С.67–68.

256. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Studying of physical properties of Be–BeO and Al–Al2O3 systems with the purpose of creation of ecologically safe technological process of nanostructure obtaining // Актуальные проблемы современного естествознания: Матер 3-й Межд. конф. — Калуга, 2007. — C.273–274.

257. Бондаренко Г.Г., Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Моделирование процессов ионного внедрения в наноструктурах Al–Al2O3, инициируемых ионной бомбардировкой в условиях газового разряда // Радиационная физика твердого тела: Труды XVII Межд. совещ. — Москва: НИИПМТ МГИЭМ (ТУ), 2007. — С.426–431.

258. Коржавый А.П., Марин В.П., Никифоров Д.К. Процессы переноса в наноструктурах Ве–ВеО: моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом // Наукоемкие технологии.

— 2007. — №4. — С.4–10.

259. Bondarenko G.G., Nikiforov D.K., Korzhavyi A.P. Modification of the emitting metal-metal oxide nanostructures under ionic bombardment // J. Perspective Materials. — 2007. — Vol.1 (special issue: Proceeds.

IX Russian-Chinese Symp. «New Materials & Technologies»). — P.224–225.

260. Дерюгина Е.О., Никифоров Д.К., Челенко В.В. Исследование зависимости работоспособности He–Ne-лазера от значения тока постэмиссии // Наукоемкие технологии, в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе: Материалы Всерос. научно-техн. конф. — Москва, 2007. — Т.1. — С.85–87.

261. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Процессы инжекции и эмиссии носителей заряда в наноструктурах на основе оксидных пленок Al2O3 и BeO (вычислительный эксперимент) // Наноструктурированные оксидные пленки и покрытия. — Петрозаводск: Издво КГПУ, 2007. — С.69–75.

262. Спутниковые навигационные системы: Учебное пособие / Е.С. Беспалов, М.И. Мусянков, А.П. Пирхавка, Г.М. Чернявский / Моск. гос.

ин-т радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). — М., 1999. — 72 с.

263. Каганов В.И. Радиоэлектронные системы управления производственными объектами и контроля среды: Учебное пособие / Моск. гос.

ин-т радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). — М., 1999. — 88 с.

264. Физические основы построения космических средств связи и управления: Практикум / А.П. Аверьянов, Н.А. Кащеев, Л.В. Меньшикова, В.Н. Сизоненко / ГОУ ВПО «Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)». — М., 2006. — 265. Матвеев В.А., Лунин Б.С., Бесараб М.А. Навигационные системы на волновых твердотельных гироскопах. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. —

ANNOTATION

Dr. Dmitry K. Nikiforov, Prof. Alexey P. Korzhavyi,

METAL — METAL OXIDE EMITTING NANOSTRUCTURES:

PHYSICS AND APPLICATION

Readership: Scientists, electronic engineers, post-graduates and students.

Summary: The book is covered modern problems deal with the emitting nanostructures based on metal–metal oxide.

Contents: Computer simulation of the processes of injection and emission in the emitting Al–Al2O3 and Be–BeO nanostructures was carried out. Energy band diagram for anion-defective dielectric at high electric fields was proposed. Space-charge-limited currents (SCLC) as well as Poole–Frenkel currents and tunneling Fowler–Nordheim ones were analyzed in the conditions of various applied fields, dielectric layer thickness, energy and concentration of deep electron traps.

Results of computer simulation of ion implantation into Al–Al2O and Be–BeO nanostructures caused by ionic bombardment during the gas discharge. Computing experiment was carried out based on the Lindhard–Scharff–Schiett model with the Gauss distribution of implanted ions in a dielectric layer (Al2O3 or BeO). Such ion implantation process can result in the modification of the zone diagram of metal– metal oxide structures.

The discharge lasers containing the cold cathode as an electron emitter are widely applied in a modern science and engineering. The preservation of working parameters of emitting surfaces at the contact with the gas environment is promoted by protective properties of oxide thin film [3] — Al2O3 or BeO which characterized by high melting temperature, thermal conductivity and dielectric parameters.

The unique technology used for creation of highly effective cold oxide nanofilm cathodes allows to provide reliability, durability and miniaturization of laser devices.

The author: Dmitry K. Nikiforov received the Candidate of Science degree (Ph.D.) in physics and mathematics in 2006 from the Moscow Institute for Electronics and Mathematics. In 2000 he joined the Tsiolkovsky State Pedagogical University, Kaluga. His area of interest is solid state physics, physical & mathematical simulations.

Alexey P. Korzhavyi received the Candidate of Science degree (Ph.D.) in engineering in 1978 from the Moscow Institute of Electronic technics (Engineering), and the Doctor of Science degree (Dr.Sc.) in engineering in 1992 from the Moscow Institute for Electronics and Mathematics. In 1966 he joined the Research Institute of Electronic Engineering Materials, Kaluga. Since 1999 he has worked as a Professor at the Kaluga’s Branch of the Bauman Moscow State Technical University, Kaluga. His area of interest is solid state physics and electronic materials science.

Konstantin G. Nikiforov received the Candidate of Science degree (Ph.D.) in physics and mathematics in 1979 from the Institute of Applied Physics, Kishinev, and the Doctor of Science degree (Dr.Sc.) in physics and mathematics in 1992 from the Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg. In 1974 he joined the Institute of Applied Physics, Kishinev. Since 1994 he has worked as a Professor of the PhysicoMathematical Faculty at the Tsiolkovsky State Pedagogical University, Kaluga. His area of interest is solid state physics and electronic materials science.

СОДЕР ЖАНИЕ

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ КАК ОСНОВА

1.2. КОНСТРУКЦИОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ

1.3. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

ПОВЕРХНОСТИ ХОЛОДНОГО КАТОДА

1.3.1. Проводимость оксидной пленки холодных катодов в газовом разряде

1.3.2. Дефектообразование в оксидных пленках на поверхности холодных катодов

1.4. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИЧИНЫ РАЗРУШЕНИЯ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ

В АНОМАЛЬНОМ ТЛЕЮЩЕМ РАЗРЯДЕ

1.4.1. Катодное распыление

1.4.2. Роль объемных дефектов в процессах разрушения оксидных пленок в тлеющем разряде

1.5. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

ДЛЯ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ И МЕТОДОВ ИХ ДИАГНОСТИКИ.......... 1.5.1. Физико-технологические основы получения He–Ne лазерных датчиков

1.5.2. Перспективы применения пленок нитридов металлов для создания холодных катодов

1.5.3. Исследование дефектности металлических пленок методом электронно-флуктуационной диагностики.............

1.6. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ АЛЮМИНИЯ И БЕРИЛЛИЯ

1.7. СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ, ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ДЛЯ СОЗДАНИЯ

ЭФФЕКТИВНЫХ ЭМИТТЕРОВ — ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИНЖЕКЦИИ

И ЭМИССИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

В НАНОСТРУКТУРАХ

«МЕТАЛЛ–ОКСИД МЕТАЛЛА»

2.1. ПОСТРОЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ДИАГРАММ НАНОСТРУКТУР

AL–AL2O3 И BE–BEO

2.2. ФОРМИРОВАНИЕ ИНЖЕКЦИОННЫХ ТОКОВ, ОГРАНИЧЕННЫХ

ПРОСТРАНСТВЕННЫМ ЗАРЯДОМ, В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ СЛОЕ

НАНОСТРУКТУР AL–AL2O3 И BE–BEO

2.3. ФОРМИРОВАНИЕ ИНЖЕКЦИОННЫХ ТОКОВ ПО МЕХАНИЗМУ

ПУЛА–ФРЕНКЕЛЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ СЛОЕ

НАНОСТРУКТУР AL–AL2O3 И BE–BEO

2.4. ФОРМИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНЫХ ТОКОВ В НАНОСТРУКТУРАХ

AL–AL2O3 И BE–BEO

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

В НАНОСТРУКТУРАХ «МЕТАЛЛ–ОКСИД МЕТАЛЛА»,

ИНИЦИИРУЕМЫХ ИОННО-ЭЛЕКТРОННОЙ

БОМБАРДИРОВКОЙ

3.1. РАСПЫЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОКСИДА МЕТАЛЛА

В НАНОСТРУКТУРАХ AL–AL2O3 И BE–BEO ПОД ДЕЙСТВИЕМ

ИОННО-ЭЛЕКТРОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

3.2. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ И ОБЪЕМА ОКСИДА МЕТАЛЛА

В НАНОСТРУКТУРАХ AL–AL2O3 И BE–BEO ПОД ДЕЙСТВИЕМ

ИОННО-ЭЛЕКТРОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

3.3. ФОРМИРОВАНИЕ ВТОРИЧНЫХ ИОННО-ЭЛЕКТРОННОЙ

И ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИЙ С ПОВЕРХНОСТИ ОКСИДА

МЕТАЛЛА В СТРУКТУРАХ AL–AL2O3 И BE–BEO

ГЛАВА 4. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ

НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР AL–AL2O3 И BE–BEO.......

4.1. КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

НА ОСНОВЕ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ 1/f-ШУМОВ

4.2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК

4.3. МАКЕТИРОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ

НА ОСНОВЕ СТРУКТУР AL–AL2O3 И BE–BEO

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ANNOTATION

ЭМИТТИРУЮЩИЕ НАНОСТРУКТУРЫ

ФИЗИКА И ПРИМЕНЕНИЕ

Формат 60 84 16. Печать офсетная. Бумага офсетная. Гарнитура «Таймс».

Печ. л. 9,75. Усл. п. л. 9,07. Тираж 500 экз. Заказ № Изготовлено в Редакционно-издательском отделе

 


Похожие работы:

«Социальное неравенство этнических групп: представления и реальность Электронный ресурс URL: http://www.civisbook.ru/files/File/neravenstvo.pdf Перепечатка с сайта Института социологии РАН http://www.isras.ru/ СОЦИАЛЬНОЕ НЕРАВЕНСТВО НЕРАВЕНСТВО ЭТНИЧЕСКИХ ГРУПП: ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И РЕАЛЬНОСТЬ МОСКВА 2002 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ЭТНОЛОГИИ ИНСТИТУТ И АНТРОПОЛОГИИ СОЦИОЛОГИИ Международный научно исследовательский проект Социальное неравенство этнических групп и проблемы...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СОЦИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Г.С. Жукова Е.В. Комарова Н.И. Никитина Квалиметрический подход в системе дополнительного профессионального образования специалистов социальной сферы Монография Москва Издательство Российского государственного социального университета 2012 УДК 37.0 ББК 74.5в642 Ж86 Печатается по рекомендации Н аучн о-образовательного и внедренческого центра кафедры матем атики и информа тики Российского...»

«ДУХОВНО-НРАВСТВЕННАЯ ОНТОЛОГИЯ СОВРЕМЕННОГО СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ Монография УДК 122/129 ББК 87.21 Д85 Рецензенты: И. В. Рыжов, д-р экон. наук, проф. Н. И. Гавриленко, д-р экон. наук, проф. Авторы: В. И. Новичков, засл. деятель науки РФ, д-р экон. наук, проф. Б. В. Салихов, д-р экон. наук, проф. В. И. Новичкова, канд. экон. наук, проф. И. С. Салихова, аспирант Российского государственного социального университета...»

«РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А.И. ГЕРЦЕНА ФАКУЛЬТЕТ ГЕОГРАФИИ НОЦ ЭКОЛОГИЯ И РАЦИОНАЛЬНОЕ ПРИРОДОПОЛЬЗОВАНИЕ РУССКОЕ ГЕОГРАФИЧЕСКОЕ ОБЩЕСТВО ИНСТИТУТ ОЗЕРОВЕДЕНИЯ РАН ИНСТИТУТ ВОДНЫХ ПРОБЛЕМ СЕВЕРА КАРНЦ РАН География: традиции и инновации в наук е и образовании Коллективная монография по материалам Международной научно-практической конференции LXVII Герценовские чтения 17-20 апреля 2014 года, посвященной 110-летию со дня рождения Александра Михайловича...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северный (Арктический) федеральный университет М.И. Козлов СОЦИАЛЬНАЯ СПРАВЕДЛИВОСТЬ В КОНТЕКСТЕ РУССКОЙ ТРАДИЦИИ Монография Архангельск 2010 УДК 364.614.8 ББК 60.027.7 К 59 Рецензенты: доктор философских наук, профессор Северного (Арктического) федерального университета В.А. Колосов; кандидат философских наук, доцент Северного...»

«А.М. КАГАН, А.Г. ЛАПТЕВ, А.С. ПУШНОВ, М.И. ФАРАХОВ КОНТАКТНЫЕ НАСАДКИ ПРОМЫШЛЕННЫХ ТЕПЛОМАССООБМЕННЫХ АППАРАТОВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНЖЕНЕРНО-ВНЕДРЕНЧЕСКИЙ ЦЕНТР ИНЖЕХИМ (ИНЖЕНЕРНАЯ ХИМИЯ) А.М. КАГАН, А.Г. ЛАПТЕВ, А.С. ПУШНОВ, М.И. ФАРАХОВ КОНТАКТНЫЕ...»

«МИНИСТЕРСТВ ОБРАЗОВАН М ВО НИЯ И НАУКИ У УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬ Й ЬНЫЙ УНИВЕРС СИТЕТ ЯНКОВСКИЙ Н.А., МАКОГОН Ю.В., РЯБЧ Й ЧИН А.М. ИНН НОВАЦИОНННЫЕ И КЛА АССИЧЕСКИ ТЕОРИИ ИЕ И КА АТАСТРОФ И ЭКОНОМИ ИЧЕСКИХ К КРИЗИСОВ Научное и издание Донецк – УДК 515.164.15+517. Янковский Н.А., Макогон Ю.В., Рябчин А.М. Инновационные и классические теории катастроф и экономических кризисов: Монография / под ред. Макогона Ю.В. – Донецк: ДонНУ, 2009. – 331 с. Авторы: Янковский Н.А., (введение, п.1.3, 1.4,...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Институт проблем безопасного развития атомной энергетики А. А. Саркисов, Л. Б. Гусев, Р. И. Калинин ОСНОВЫ ТЕОРИИ И ЭКСПЛУАТАЦИИ СУДОВЫХ ЯДЕРНЫХ РЕАКТОРОВ Под редакцией академика РАН А. А. Саркисова Москва Наука 2008 УДК 621.039 ББК 31.4 С20 Рецензенты: академик РАН Н. С. Хлопкин, доктор технических наук В. И. Швеев Основы теории и эксплуатации судовых ядерных реакторов / А. А. Саркисов, Л. Б. Гусев, Р. И. Калинин ; под общ. ред. акад. РАН А. А. Саркисова ; Ин-т проблем...»

«Межрегиональные исследования в общественных науках Министерство образования и науки Российской Федерации ИНО-центр (Информация. Наука. Образование) Институт имени Кеннана Центра Вудро Вильсона (США) Корпорация Карнеги в Нью-Йорке (США) Фонд Джона Д. и Кэтрин Т. Мак-Артуров (США) Данное издание осуществлено в рамках программы Межрегиональные исследования в общественных науках, реализуемой совместно Министерством образования и науки РФ, ИНО-центром (Информация. Наука. Образование) и Институтом...»

«И.Н. Попов МЕТАФИЗИКА АБСОЛЮТНОГО ДУАЛИЗМА: ОРАТОРИЯ ПРЕОДОЛЕНИЯ Монография Барнаул 2010 УДК 11/14 Сведения об авторе: кандидат философских наук, доцент кафедры менеджмента и правоведения Алтайского государственного аграрного университета, докторант Алтайского государственного университета, основатель религиозного объединения Круг преданных Аллат. E-mail: salmanasar@rambler.ru Рецензенты: кандидат философских наук, доцент кафедры философии, декан факультета гуманитарного образования АлтГТУ им....»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тамбовский государственный технический университет Н.В. ЗЛОБИНА КОНЦЕПТУАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ОРГАНИЗАЦИИ Рекомендовано НТС ГОУ ВПО ТГТУ в качестве монографии Тамбов Издательство ГОУ ВПО ТГТУ 2011 1 УДК 338.242 ББК У9(2)30 З-68 Рецензенты: Доктор экономических наук, профессор, заведующий кафедрой Менеджмент и управление...»

«Серия КОНЦЕПТУАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МИР ЧЕЛОВЕКА И МИР ЯЗЫКА Выпуск 2 Кемерово 2003 ББК Ш140-Оя УДК 81`371 Мир человека и мир языка: Коллективная монография/ Отв. ред. М.В. Пименова. – Кемерово: Комплекс Графика. – 356 с. (Серия Концептуальные исследования. Выпуск 2). Второй выпуск из серии Концептуальные исследования посвящён теоретическим проблемам концептуальных исследований, приёмам и методам исследования концептосферы человек, концептов внутреннего мира человека, социальных и культурных...»

«Дальневосточный федеральный университет Школа региональных и международных исследований А.А. Киреев Дальневосточная граница России: тенденции формирования и функционирования (середина XIX – начало XXI вв.) Монография Владивосток Издательство Дальневосточного федерального университета 2011 УДК 341.222 ББК 66.4 К43 Рецензенты: В.А. Бурлаков, к. полит. н., доцент В.Г. Дацышен, д.и.н., профессор С.И. Лазарева, к.и.н., с.н.с. О.И. Сергеев, к.и.н., с.н.с. На обложке: Место стыка государственных...»

«Федеральная таможенная служба России Государственное казенное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российская таможенная академия Владивостокский филиал Г.Е. Кувшинов Д.Б. Соловьёв Современные направления развития измерительных преобразователей тока для релейной защиты и автоматики Монография Владивосток 2012 ББК 32.96-04 УДК 621.31 К 88 Рецензенты: Б.Е. Дынькин, д-р тех. наук, проф. Дальневосточный государственный университет путей сообщения Н.В. Савина, д-р тех....»

«Ф. А. УРУСБИЕВА К А Р А Ч А Е В О - Б А Л К А Р С К А Я СКАЗКА ВОПРОСЫ ЖАНРОВОЙ т и п о л о г и и Владикавказ 2 0 1 0 ББК 63.5 У 15 У 15 Урусбиева Ф. А. Карачаево-балкарская сказка. Вопросы жанровой типологии: Монография. УРАН Сев.-осет ин-т гум. и соц. исслед. Владикавказ: НПО СОИГСИ, 2010. 128 с. ISBN 978-5-91480-070-0 Рецензенты: докт. филол. наук З.Ж. Кудоева канд. ист. наук Э.Ф. Кисриев В оформлении обложки использована работа художника Б. Дзиуаты. ISBN 978-5-91480-070-0 © Урусбиева Ф.А.,...»

«Константы культуры России и Монголии: очерки истории и теории монография УДК 008.009.11(470:517) (09) ББК 63.3(2)-7+ББК 63.3(5Мон)-7+ББК 71.4(0)Ж Исследование осуществлено при финансовой поддержке совместного гранта Российского гуманитарного научного фонда и Министерства образования, науки и культуры Монголии (проект 08a/G) Специфика проявления культурных констант России и Монголии в трансграничной области на Алтае Рецензенты: Доктор культурологии, профессор С.Д. Бортников Доктор философских...»

«А.А.ШАМАРДИН КОМПЛЕКСНАЯ ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ПОДГОТОВКА ЮНЫХ ФУТБОЛИСТОВ Монография НАУЧНАЯ КНИГА Саратов 2008 2 ББК 75.578 Ш - 19 Рецензенты: Доктор педагогических наук, профессор А.А.Кудинов Доктор биологических наук, профессор И.Н.Солопов Печатается по решению ученого совета ФГОУ ВПО Волгоградская государственная академия физической культуры в качестве научной монографии. Шамардин А.А. КОМПЛЕКСНАЯ ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ПОДГОТОВКА ЮНЫХ ФУТБОЛИСТОВ. Монография. – Саратов: Научная Книга, 2008.- 239 с. В...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный архитектурно-строительный университет Л.Е. Попов, С.Н. Постников, С.Н. Колупаева, М.И. Слободской ЕСТЕСТВЕННЫЕ РЕСУРСЫ И ТЕХНОЛОГИИ В ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ Томск Издательство ТГАСУ 2011 УДК 37.02:501 ББК 74.5:20 Естественные ресурсы и технологии в образовательной деятельности [Текст] : монография / Л.Е. Попов,...»

«Международный юридический институт В.А. Пертли ПРИМЕНЕНИЕ УГОЛОВНО-ПРАВОВЫХ МЕР БЕЗ ИЗОЛЯЦИИ ОТ ОБЩЕСТВА (ИСТОРИЧЕСКИЙ ОПЫТ И СОВРЕМЕННОСТЬ) Москва 2010 ББК 67.99(2) П 26 Пертли В.А. П 26 Применение уголовно-правовых мер без изоляции от общества: исторический опыт и современность / В.А. Пертли. Монография. – М.: Издательство Международного юридического института, 2010. – 200 с. ISBN 978-5-902416-34-0 Рецезенты: Филимонов О.В., доктор юридических наук, профессор; Дворянсков И.В., кандидат...»

«Е.И. ГЛИНКИН ТЕХНИКА ТВОРЧЕСТВА Ф Что? МО F (Ф, R, T, ) (Ф, R, T) МС ИО Ф ТО T R T Когда? ТС Где? R Тамбов • Издательство ГОУ ВПО ТГТУ • 2010 УДК 37 ББК Ч42 Г542 Рецензенты: Доктор технических наук, профессор ГОУ ВПО ТГТУ С.И. Дворецкий Доктор филологических наук, профессор ГОУ ВПО ТГУ им. Г.Р. Державина А.И. Иванов Глинкин, Е.И. Г542 Техника творчества : монография / Е.И. Глинкин. – Тамбов : Изд-во ГОУ ВПО ТГТУ, 2010. – 168 с. – 260 экз. ISBN 978-5-8265-0916- Проведен информационный анализ...»







 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.