WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

УДК 621.375.8

ББК 32.86-5-01

К85

Р е ц е н з е н т ы:

академик РАН, проф. Л.В. Келдыш;

д-р техн. наук, проф. А.С. Насибов

Крюкова И. В.

Физические процессы в полупроводниковых импульсных

К85

лазерах с накачкой электронными пучками / И. В. Крюкова. —

М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. — 443, [2] с. : ил.

ISBN 978-5-7038-3251-6 Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АIIIВV и АIIВVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные «идеальные» твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление — атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10–11 с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений.

Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался.

Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.

УДК 621.375. ББК 32.86-5- © Крюкова И.В., © Оформление. Издательство МГТУ ISBN 978-5-7038-3251-6 им. Н.Э. Баумана, Оглавление Предисловие

Введение

Литература

Глава 1. Некоторые вопросы теории генерации когерентного излучения в полупроводниках и пространственное распределение плотности возбуждения. Методики возбуждения

1.1. Процессы рекомбинации неравновесных носителей в прямозонных полупроводниках

1.1.1. Процессы поглощения и излучения света в прямозонных полупроводниках

1.1.2. Безызлучательная рекомбинация

1.1.3. Экситонный механизм

1.2. Некоторые вопросы теории генерации лазерного излучения в полупроводниках

1.3. Расчет коэффициента усиления

1.4. Пространственное распределение плотности возбуждения......... 1.5. Методики возбуждения полупроводниковых лазеров импульсными электронными пучками

Литература

Глава 2. Механизмы излучательной рекомбинации и лазерной генерации в активных средах на основе соединений AIIIBV и AIIBVI

2.1. Природа переходов и получение эффективной генерации в лазерах на GaAs

2.1.1. Излучательные переходы и механизмы генерации............. 2.1.2. Влияние двойного легирования и снижения концентрации дефектов нестехиометрии

2.2. Спонтанное и стимулированное излучение в кристаллах GaSb и InAs и роль Оже-рекомбинации

2.2.1. Влияние особенностей зонного строения кристаллов GaSb на эффективность излучения лазеров

2.2.2. Расчет коэффициента усиления и порогов генерации в лазерах на GaSb

2.2.3. Экспериментальное определение коэффициентов Оже-рекомбинации

2.2.4. Роль Оже-рекомбинации в лазерах на InAs

2.3. Катодолюминесценция и лазерный эффект в легированных кристаллах CdS

2.3.1. Механизмы генерации в высокоэффективных неохлаждаемых лазерах на легированных кристаллах CdS

2.3.2. Лазеры на кристаллах CdS, выращенных в условиях регулирования давления паров S или Cd

2.3.3. Скорость рекомбинации неравновесной электроннодырочной плазмы и определение каналов безызлучательной рекомбинации в кристаллах CdS(S).... 2.4. Лазерное излучение электронно-дырочной плазмы в особо чистых нелегированных кристаллах

Литература

Глава 3. Катодолюминесценция и лазерный эффект в изопериодических трех- и четырехкомпонентных твердых растворах соединений AIIIBV

3.1. Влияние примесных уровней под непрямыми долинами на люминесценцию в GaAlAs и GaAlSb. Зонное строение и аномальный рост люминесценции в GaAlSb

3.2. Катодолюминесценция и лазерный эффект в четырехкомпонентных твердых растворах GaInAsP, GaInAsSb, InAsSbP

3.2.1. Эффективное спонтанное и стимулированное излучение гетероструктур GaInAsP — InP

3.2.2. Лазер с диэлектрическим волноводом на основе GaInAsP — InP

3.2.3. Неохлаждаемые длинноволновые лазеры на основе соединений GaInSbAs — GaSb(InAs)

3.2.4. Лазеры в области 2,5…4 мкм на гетероструктуре InAsSbP — InAs

Литература

Глава 4. Спектрально-временные характеристики спонтанного и лазерного излучения

4.1. Методика эксперимента

4.2. Кинетика спонтанного излучения электронно-дырочной плазмы и экспериментальное исследование экситонноплазменного фазового перехода Мотта в CdS

4.3. Кинетика спонтанного излучения в GaAs и эффекты экранирования акцепторных уровней

4.4. Кинетика лазерного излучения

Литература

Глава 5. Процессы воздействия электронного пучка и собственного лазерного излучения на активные среды.......... 5.1. Микрокатодолюминесцентный анализ и влияние несовершенств кристаллического строения на параметры излучения

5.2. Катастрофическая деградация охлаждаемых лазеров на GaAs

5.2.1. Экспериментальные исследования процессов деградации

5.2.2. Деградация на дефектах обработки поверхности.............. 5.2.3. Процессы деградации на микронеоднородностях............. 5.2.4. Процессы деградации в оптически однородных кристаллах

5.3. Особенности деградации в неохлаждаемых лазерах на GaAs... 5.4. Деградация лазеров на CdS

5.5. Аналитическая модель процесса деградации с участием дислокации

5.6. Влияние температуры на механизм разрушения и механические свойства соединения AIIBVI

5.7. Деградация активных элементов при длительных испытаниях в импульсно-периодическом режиме работы......... 5.8. Деградация лазеров на других полупроводниковых материалах

Литература

Глава 6. Импульсный отжиг полупроводниковых активных сред лазеров при облучении интенсивными потоками электронов с энергией выше порога дефектообразования...... 6.1. Основные характеристики лазеров на GaAs с накачкой интенсивными импульсными электронными пучками высоких энергий

6.2. Влияние облучения интенсивными импульсными пучками электронов на электрофизические и фотолюминесцентные свойства кристаллов GaAs

6.3. Улучшение люминесцентной способности и структуры кристаллов GaAs после облучения импульсным интенсивным пучком электронов

6.4. Импульсный отжиг радиационных дефектов при облучении интенсивными импульсными потоками электронов высоких энергий

6.5. Электронно-световой отжиг поверхностных слоев активных сред и роль неравновесных структурно-фазовых переходов

6.6. Влияние длительного импульсного облучения на лазеры из CdS

Литература

Глава 7. Мощные импульсные лазеры и механизмы ограничения их предельных характеристик

7.1. Исследования параметров излучения неохлаждаемых лазеров на GaAs, CdS, ZnSe, ZnO с продольной импульсной накачкой

7.2. Влияние разогрева неравновесных носителей заряда в сильно возбужденных полярных полупроводниках на эффективность лазеров

7.2.1. Процессы разогрева и термализации ЭДП в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения..... 7.2.2. Влияние перегрева ЭДП на эффективность неохлаждаемых лазеров

7.3. Расчет и исследование влияния термоупругих напряжений на предельные параметры накачки мощных лазеров.................. 7.4. Мощные импульсные многоэлементные лазеры

7.5. Параметры некоторых созданных приборов на основе импульсных лазеров с электронной накачкой

Литература

ПРЕДИСЛОВИЕ

Предлагаемая монография И.В. Крюковой является, по существу, первым в нашей научной литературе систематическим описанием неравновесных явлений в полупроводниковых лазерах в условиях интенсивного импульсного возбуждения потоком быстрых электронов с энергией до и выше дефектообразования. По сравнению с другими методами возбуждение электронным пучком имеет преимущества с точки зрения универсальности (применимо для любых материалов) и возможности обеспечения сравнительно однородного возбуждения достаточно больших объемов, способствующих выявлению основных механизмов протекающих явлений. Одной из важнейших областей приложения этих результатов является разработка полупроводниковых источников света, в первую очередь лазеров.

И.В. Крюкова – одна из наиболее авторитетных специалистов в этой области. Основными достоинствами монографии являются рассмотрение большого числа новых и интересных явлений, в большинстве случаев обнаруженных и исследованных автором и ее сотрудниками. К ним, в частности, относятся: новые механизмы генерации и методы повышения эффективности неохлаждаемых лазеров при высоких уровнях возбуждения в основных группах (бинарных) полупроводниковых соединений и новых изопериодических трех- и четырехкомпонентных твердых растворов в зависимости от параметров зонной структуры, химического состава, легирования и типа примесных уровней; открытие атермического импульсного радиационного отжига полупроводников, возбуждаемых электронами высоких энергий; обнаружение в узкозонных полупроводниках аномально высоких скоростей Оже-рекомбинации — основного канала безызлучательной рекомбинации при высоких уровнях возбуждения и разработка интересных методов снижения их влияния; новые механизмы деградации в зависимости от типа активных сред, условий облучения и энергии электронных пучков; новые данные по фазовому экситонно-плазменному переходу в CdS. Большой интерес представляют методы выращивания высококачественных технически важных полупроводниковых материалов, а также создание новых эффективных переходов для неохлаждаемых лазеров, разработанных при участии автора.

Книга в основном базируется на результатах, полученных автором и ее аспирантами совместно с сотрудниками других научных центров. Эти изыскания первоначально были направлены на выбор и исследование полупроводниковых материалов для активных элементов, излучающих в широком диапазоне длин волн (0,5…10,0 мкм) лазерные импульсы наносекундной длительности.

Задача возникла в связи с необходимостью метрологического обеспечения быстропротекающих процессов, которые изучались во ВНИИОФИ Госстандарта СССР, где И.В. Крюкова возглавляла отдел лазерных источников излучения. Дальнейшие исследования проводились в рамках другой прикладной задачи – создание мегаваттных источников излучения в видимом и ближнем ультрафиолетовом диапазоне (0,34…0,5 мкм) для линий связи космического аппарата с наземными и подводными объектами.

Для решения всех этих задач был проведен большой цикл исследований по подбору исходных материалов, изучению механизмов генерации и по улучшению свойств ранее известных кристаллов в целях создания эффективных лазеров, работающих без специального охлаждения, созданию первых лазеров на новых четырехкомпонентных соединениях, излучающих в технически важном спектральном диапазоне 1…4 мкм. В результате всех этих работ были созданы первые эффективные неохлаждаемые лазеры в ИКдиапазоне и улучшены параметры излучения лазеров в видимом и ближнем ультрафиолетовом диапазоне на соединениях АII ВVI. Были определены требования к материалам и рабочим переходам, что позволило создать лазеры с выходными параметрами, близкими к теоретическому пределу.

Интересные и ранее не известные результаты получены по увеличению эффективности лазеров при легировании кристаллов АIIВVI. В монографии приводятся описания новых эффектов, которые благодаря универсальности метода возбуждения электронными пучками ранее не наблюдались в других лазерах, возбуждаемых иными методами.

В книге значительное внимание уделено результатам исследования динамики спектрально-временных характеристик спонтанного и лазерного излучения с высоким уровнем разрешения 10–11 с в широком диапазоне концентраций неравновесных носителей 1016…1019 см–3. Эта методика позволила наблюдать сложную динамику излучения в течение коротких импульсов (10–9…10–10 с) — смену механизмов генерации; получить экспериментальные данные по фазовому экситонно-плазменному переходу и определить значения критерия Мота, а также коэффициентов связывания носителей в экситоны при 300 K в CdS. Все перечисленные результаты относятся к фундаментальным явлениям и, несомненно, представляют значительный интерес для исследователей в области физики полупроводников и полупроводниковых лазеров. Большинство представленных в монографии результатов экспериментальных исследований подкреплены теоретическими моделями и расчетами.

Практический интерес представляют мегаваттные импульсные лазеры и результаты исследования явлений, возникающих при интенсивных накачках полупроводников электронными импульсами наносекундной длительностью. Показано, что отрыв температуры неравновесной электронно-дырочной плазмы от температуры решетки обусловливает снижение мощности излучения лазеров, особенно у нелегированных кристаллов, а возникновение высоких амплитуд термических напряжений при интенсивном импульсном возбуждении может приводить к хрупкому разрушению кристаллов, что ограничивает рабочие токи накачки. Несмотря на эти ограничения, благодаря открытию явления импульсного радиационного отжига оказалось возможным создавать при облучении импульсными потоками электронов с энергией выше порога дефектообразования мегаваттные полупроводниковые лазеры. Следует подчеркнуть, что явление импульсного отжига, которое по природе своей имеет атермический характер, было принципиально новым и никем ранее не предсказывалось. Самоотжиг дефектов в процессе облучения обеспечивал высокий рабочий ресурс таких лазеров.

Вызывает большой интерес другая форма такого импульсного отжига — комбинированный электронно-световой отжиг нарушенных поверхностных слоев активных сред. Предполагается, что в основе этого явления лежит механизм неравновесных структурно-фазовых переходов. Оказалось, что интенсивное импульсное облучение электронами высоких энергий в отличие от традиционного непрерывного низкоинтенсивного облучения не только необратимо не ухудшает свойств активных сред, но и после прекращения облучения в течение десятка часов приводит к улучшению люминесцентных и структурных свойств кристаллов. Этот новый эффект имеет большое практическое значение и представляет значительный научный интерес. Первые работы по импульсному радиационному отжигу легли в основу нового научного направления.

В заключение я бы отметил, что исследования большого круга проблем именно в сильно возбужденных полупроводниках, коотрые позволили получить ряд новых научных результатов, несомненно, представляют интерес для физиков, работающих в области создания мощных полупроводниковых источников лазерного излучения, подвергающихся как сильному радиационному воздействию, так и собственному лазерному излучению.

Считаю, что монография И.В. Крюковой представляет интерес для научных работников, технологов, аспирантов и студентов, работающих в области полупроводников и лазерной техники.

ВВЕДЕНИЕ

Быстрое развитие квантовой электроники во второй половине XX в. обусловлено созданием нового класса приборов — источников когерентного излучения в широком диапазоне длин волн. Среди них достойное место занимают полупроводниковые квантовые генераторы с накачкой электронными пучками. Первый лазер такого типа был создан в 1964 г. на сульфиде кадмия при температуре жидкого гелия [1]. После началось активное исследование этих лазеров, что было обусловлено их уникальными свойствами, которыми не обладают другие типы лазеров:

• сравнительно высокий КПД — до 30 % [2];

• возможность применения широкого круга материалов с различным спектром исходных свойств и получение генерации в значительном диапазоне длин волн (0,25…30 мкм);

• возбуждение больших объемов и получение импульсной мощности в десятки мегаватт;

• создание лазера со сканирующим лучом в пространстве;

• простота широкополосной модуляции оптического излучения путем модуляции электронного пучка;

• формирование сверхкоротких импульсов длительностью 10–10… 10–11 с.

Кроме того, в активных средах лазеров с накачкой электронным пучком можно изучать новые физические процессы, принципиально недоступные диодным лазерам, в которых не всегда можно создать p–n-переход, а активная область составляет всего доли микрона. Поэтому начиная с середины 1960-х и вплоть до середины 1990-х годов проводился широкий круг исследований этих лазеров в нашей стране и за рубежом.

Параллельно с исследованиями физических процессов, протекающих в этих лазерах, разрабатывались образцы приборов нового типа, предназначенные для применения в метрологии и технике быстропротекающих процессов, оптической локации и связи, в устройствах для имитации излучения мощных твердотельных и газовых лазеров; для формирования телевизионного изображения и создания ячеек памяти в лазерной микроскопии, оптоэлекприборов. Искренне благодарна академику РАН Ю.В. Капаеву, академику УАН В.И. Трефилову, докторам физ.-мат. наук Ю.В. Мильману, А. Жукаускасу, кандидатам физ.-мат. наук И.В. Гридневой, Е.С. Кобе за интересные совместные исследования. Благодарю доктора физ.-мат. наук М.Г. Мильвидского, кандидатов физ.-мат.

наук А.А. Давыдова, К.В. Маркова, В.А. Теплицкого, Е.Г. Шевченко, Л.В. Дружинину за плодотворное сотрудничество в части разработки и исследования материалов с новыми свойствами. Выражаю глубокую признательность академику РАН Г.А. Месяцу за создание уникальных сильноточных ускорителей, использованных для получения многих результатов, приведенных в данной книге, за постоянный интерес и поддержку работ данного направления. Благодарю академика РАН Л.В. Келдыша за ознакомление с рукописью монографии, плодотворное ее обсуждение и положительную оценку. Выражаю благодарность доктору техн. наук, профессору А.С. Насибову за рецензирование и обсуждение рукописи монографии, ценные замечания и написания предисловия к монографии. Благодарю Д.А. Петрова за неоценимый вклад в оформление рукописи и Н.Н. Чуковского — за большой вклад в издание книги.

1. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Девятков А.Г. // ДАН СССР.

1964. Т. 155. № 4. С. 783–785.

2. Попов Ю.М. // Труды ФИАН. 1965. Т. 31. С. 3–74.

3. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундных импульсов.

М.: Сов. радио, 1974. С. 256.

4. Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование наносекундных импульсных источников ускоренных электронов. М.:

Наука, 1974. С. 168.

5. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976. С. 415.

6. Богданкевич О.В. // Квант. электроника. 1994. Т. 21. № 12.

7. A. c. (СССР) Ж 270100. Электронно-лучевая трубка. Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич, А.С. Насибов. Опубл. в Б.И. 1970. № 16.

8. Уласюк В.Н. Квантоскопы. М.: Радио и связь, 1988. С. 256.

9. Лазерные электронно-лучевые трубки // Труды ФИАН. 1991.

Т. 202. С. 224.

10. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб.: Использование оптических квантовых генераторов в современной технике и медицине. Л.: Знание, 1971. Т. 2. № 3. С. 15–20.

11. Крюкова И.В. Полупроводниковые активные среды в лазерах с электронной накачкой. Докторская диссертация. М., 1981.

Некоторые вопросы теории генерации когерентного излучения в полупроводниках и пространственное распределение 1.1. Процессы рекомбинации неравновесных носителей в прямозонных полупроводниках В основе получения когерентного излучения лежат процессы рекомбинации неравновесных носителей. Рассмотрим кратко некоторые вопросы теории рекомбинации в полупроводниковых соединениях.

Избыточные носители тока в полупроводниках могут рекомбинировать либо в результате переходов непосредственно из зоны проводимости в валентную зону, либо через промежуточные локальные состояния, обусловленные наличием примесных центров или дефектов решетки, либо через экситонные состояния. В зависимости от механизма выделения избыточной энергии рекомбинируемой парой переходы бывают с излучением и без излучения кванта света, причем в последнем случае избыточная энергия передается либо решетке (тепловые переходы), либо третьему телу (ударные переходы типа Оже). Тот или иной механизм рекомбинации определяется зонной структурой полупроводника, шириной запрещенной зоны, концентрацией равновесных и неравновесных носителей, концентрацией и свойствами центров рекомбинации, температурой кристалла. Вопрос о природе и вероятности тех или иных переходов является наиболее существенным при изучении процессов рекомбинации и при попытке целенаправленного управления ими. На рис. 1.1 приведены схемы зонного строения полупроводников группы АIIIВV, для большинства из которых описаны процессы генерации лазерного излучения в данной книге. Кроме того, на рис. 1. показана зонная схема CdS, принадлежащая к другой группе AIIBVI.

Как и ожидалось, в этом широкозонном материале с другими физико-химическими свойствами наблюдались существенные различия в механизмах лазерной генерации, процессах взаимодействия с собственным излучением и возбуждающим электронным пучком.

Механизмы излучательной рекомбинации и лазерной генерации в активных средах на основе соединений AIIIBV и AIIBVI Основным материалом, используемым для создания источников когерентного и некогерентного излучения на первоначальном этапе исследований был GaAs [1, 2]. Однако эффективность первых генераторов когерентного излучения, как отмечалось выше, была низкой и составляла единицы процентов [3]. Это было обусловлено рядом причин, одной из которых является не совсем оптимальный выбор материала и низкое качество исследуемого GaAs — нелегированного [3] и p-типа [1, 2]. Однако в работе [4] сообщалось о создании лазера на образцах CdS с КПД около 26 % при Т = 100 K. При комнатной температуре в этих кристаллах лазерный эффект не наблюдался вообще.

На других соединениях GaSb и InAs лазеры с электронной накачкой практически не исследовались, поскольку сам эффект генерации в InAs удалось реализовать только при глубоком охлаждении (Т = 20 K) [5]. В материале GaSb впервые лазерный эффект был получен на инжекционном лазере при 77 K [6, 7].

В дальнейших исследованиях в качестве модельного материала был выбран GaAs, на котором подробно исследовались энергетические и спектральные характеристики лазеров, а также влияние на них исходных параметров материала и способов его выращивания в целях оптимизации рабочих переходов и создание материалов с высокой люминесцентной способностью. В то же время можно было ожидать, что особенности зонного строения других соединений, например, близость непрямой L-долины в GaSb, малая ширина запрещенной зоны в InAs, особенности энергетического спектра остаточных примесей и собственных дефектов могут непосредственно отразиться на параметрах спонтанного и стимулированного излучения и определить тем самым другие требования к материалам, используемым в качестве сред источников излучения.

Сульфид кадмия является типичным представителем другого класса полупроводников AIIBVI, которые позволяют генерировать излучение в видимой и УФ области спектра. Они давно широко используются в качестве люминофоров и сцинцилляторов в приГлава и лазерный эффект в изопериодических твердых растворах соединений AIIIBV Твердые растворы соединений АIIIВV (как и других групп АIIВVI и IV VI A B ) давно и успешно применяются в оптоэлектронике для создания приборов различного назначения, в том числе источников излучения в широком оптическом диапазоне длин волн. Благодаря тому, что эти соединения образуют непрерывный ряд твердых растворов, то, задавая тот или иной химический состав, можно создавать источники излучения в соответствующей области спектра.

Кристаллы твердых растворов обычно получают эпитаксиальными методами, позволяющими значительно улучшать чистоту, однородность и совершенство кристаллического строения этих сложных соединений.

Наиболее значительные успехи в области создания лазеров, в первую очередь инжекционных, были достигнуты в связи с созданием гетеропереходов в системе Ga1–xAlxAs — GaAs, впервые предложенных и экспериментально полученных в работах Ж.И. Алферова1 с сотрудниками [1, 2].

Для изопериодических твердых растворов постоянные решеток d пленки и подложки должны быть близки. На рис. 3.1 представлена зависимость ширины запрещенной зоны от параметра решетки для твердых растворов полупроводников группы АIIIВV.

Для пары GaAs — AlAs различие параметров решетки минимально и составляет ~0,25 % ( = 2(d1 – d2)/(d1 + d2)). Для пары GaSb — AlSb, где имеет место взаимное замещение Al и Ga, отличие постоянных решетки также невелико, = 0,65 %. Эти два «идеальных» твердых раствора позволяют перекрывать спектральный диапазон примерно от 0,6 до 1,6 мкм. Если на Ga1–xAlxAs первыми были созданы инжекционные лазеры в области прямозонных твердых растворов (1,43…1,92 эВ при 300 K и 1,5… 2,015 эВ при 80 K [3]), то в системе GaSb — AlSb первые лазеры были созданы с наЖ.И. Алферов — лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 г.

Спектрально-временные характеристики спонтанного и лазерного излучения Приведенные в гл. 1–3 результаты спектроскопических исследований катодолюминесценции различных полупроводниковых материалов в зависимости от уровня возбуждения, температуры, количества и сорта легирующей примеси позволили изучить разнообразные механизмы рекомбинации и определить наиболее эффективные рабочие переходы для получения генерации когерентного излучения. Эти исследования не охватывали временные характеристики. Обычные (интегральные) спектроскопические методы исследования позволяют получить сведения только об усредненном во времени излучении, что может вуалировать более тонкие процессы, происходящие в полупроводниках, особенно при высоких уровнях возбуждения, когда система сильно возмущена и имеет место не только нагрев кристаллической решетки, но и эффекты взаимодействия неравновесных частиц друг с другом и с собственным излучением системы. Поэтому данные о спектрально-временных характеристиках позволяют получить ценную информацию о более тонких процессах рекомбинации. Кроме того, исследование времен релаксации неравновесных носителей, связанных с тем или иным рабочим переходом, позволяет определить одну из важных характеристик данного перехода — вероятность рекомбинации носителей через этот уровень. Не менее интересную информацию можно получить, исследуя кинетику разгорания катодолюминесценции, например, оценить времена связывания носителей в экситоны или захват на центры рекомбинации. Исследование динамики процессов экранирования свободных экситонов и изучение фазового перехода Мотта, особенно при 300 K, является крайне важной фундаментальной проблемой.

Поскольку изучаемые времена лежат в диапазоне 10–8…10–11 с, то методика таких исследований является довольно сложной, так как для этого требуются источники накачки с временами формирования фронтов в указанном диапазоне, а также регистрирующая аппаратура с высоким временным разрешением. Именно по этой причине число публикаций, посвященных таким исследованиям, сравнительно невелико. Времена возгорания и спада катодолюмиГлава Процессы воздействия электронного пучка и собственного лазерного излучения Механизмы воздействия электронного пучка и собственного когерентного излучения на активные среды лазеров представляют собой фундаментальную проблему лазерной техники. Именно изучение этой проблемы лежит в основе практического применения лазеров различного типа с накачкой электронным пучком в разных областях науки и техники. Повышение срока службы, надежности их работы и стабильности выходных параметров лазеров в режиме максимальной мощности потребовали проведения подробных и систематических исследований процессов, происходящих в активной полупроводниковой среде лазера под действием собственного излучения и электронного пучка, поскольку именно эти процессы могут приводить к ухудшению параметров лазера, т. е. к его деградации.

В литературе широко и подробно описаны процессы деградации твердотельных и инжекционных лазеров, созданных раньше, чем лазеры с электронной накачкой. При этом выделены в основном два механизма деградации: разрушение резонатора под действием собственного мощного излучения — катастрофическая деградация; постепенное снижение мощности в процессе длительной работы лазера — медленная деградация. Основные результаты теоретических и экспериментальных исследований этих механизмов изложены в обзорах, например [1, 2] по твердотельным лазерам, и в книге [3] по инжекционным лазерам. Однако эта проблема оказалась сложной и многоплановой, а экспериментальные результаты разных авторов порой противоречивы. У полупроводников эти трудности усугубляются тем, что полупроводниковые кристаллы более неоднородны, чем твердотельные, содержат большое количество примесей и дефектов структуры, обладают более низкой механической прочностью, им свойственны различные виды поглощения энергии: собственное, экситонное, примесное, на свободных носителях и колебаниях решетки. Все это может снижать оптическую прочность материала и усложнять изучение физических причин деградации лазеров.

полупроводниковых активных сред лазеров при облучении интенсивными потоками электронов с энергией выше порога дефектообразования Исследования полупроводниковых квантовых генераторов с электронной накачкой, изложенные в предыдущих разделах, показали, что в таких лазерах можно получать высокие КПД — до 30 %.

Также было установлено, что предельное значение мощности, которую можно достигнуть при указанных параметрах электронного пучка (плотности тока и энергии электронов), ограничено явлением катастрофической деградации лазеров, когда плотность мощности излучения лазера превосходит некоторое критическое значение. Все исследования проводились при энергии электронного пучка не выше 50 кэВ, что ограничивало величину прокачиваемых объемов кристаллов. В то же время большие возможности для получения высоких абсолютных значений излучаемой мощности появляются при увеличении энергии электронного пучка. При этом увеличивается глубина проникновения электронов в материал, следовательно, растет объем активной области, снижается объемная плотность мощности накачки и плотность потока энергии лазерного излучения внутри резонатора, снижаются дифракционные потери кристаллов. На начальных этапах исследования возможности создания лазеров при облучении электронами высоких энергий практически не рассматривались [1]. Предполагалось, что возбуждение лазеров электронным пучком с энергией выше порога образования дефектов структуры может привести к необратимому ухудшению его параметров. Было известно [2], что электроны больших энергий создают в полупроводниках радиационные дефекты, значительно ухудшающие их электрические и оптические свойства. Облучение инжекционных лазеров из GaAs непрерывными потоками быстрых электронов, нейтронами и -квантами также приводило к постепенному ухудшению параметров излучения [3]. В отличие от инжекционных лазеров метод электронной накачки позволяет исследовать более широкий круг материалов, в том числе широкозонные группы AIIBVI. Поэтому изучение возГлава Достижение высоких мощностей излучения является одним из достоинств полупроводниковых лазеров с электронной накачкой.

Такие лазеры с импульсной мощностью излучения в десятки мегаватт и выше представляют большой научный и практический интерес. Они могут конкурировать с известными лазерами на гранате, причем спектр генерации полупроводниковых лазеров может лежать в любой области видимого и ИК диапазонов. Мощные импульсные полупроводниковые лазерные источники излучения могли бы иметь ряд интересных практических применений, например в локации, при создании лидаров, подсветке, для связи с подводными объектами, фотолитографии и др. Для решения таких задач особый интерес представляет видимый и ближний УФ диапазоны.

Поэтому исследования по созданию мощных лазеров проводились на основе широкозонных кристаллов групп АIIВVI и АIIIВV — ZnO, ZnSe, CdS, GaAs, излучающих в области 0,39…0,89 мкм.

Для получения больших мощностей удобнее всего использовать пучки электронов высоких энергий 200…600 кэВ, которые позволяют прокачивать большие объемы, снижая до нуля размер пассивных областей. В этом отношении обнаруженное явление радиационного отжига, описанное в гл. 6, имело большое принципиальное значение, так как позволило приступить к практическому построению мощных лазеров, накачиваемых электронами с энергией выше порога дефектообразования.

Достигнутые успехи в разработке новых методов выращивания полупроводниковых кристаллов с высоким квантовым выходом излучательной рекомбинации, а также изучение механизмов генерации и определение оптимальных лазерных переходов, позволивших создать первые низкопороговые неохлаждаемые лазеры с КПД до 15…20 % (см. гл. 2), наметили пути выбора материалов с соответствующими исходными свойствами. Определенную ясность внесли результаты по изучению механизмов деградации в лазерах с накачкой электронными пучками, особенно при комнатной температуре, по созданию методов достижения высоких сроЛитература 1. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Насибов А.С. // Квант. электроника. 1971. Т. 12. С. 2105.

2. Дарзнек С.А., Зверев М.М., Ушахин В.А. // Квант. электроника.

3. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976. С. 415.

4. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1972. Т. 3. № 9. С. 99–101.

5. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. I Всесоюзной научно-технической конференции «Фотометрические измерения и их метрологическое обеспечение»: Тезисы докладов. М. 1974. С. 301.

6. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1985. Т. 12. № 7. С. 1517.

7. А. с. (СССР) № 249891, Богданкевич О.В., Крюкова И.В., Красавина Е.М., Зверев М.М.; Приоритет от 04.08.85 г.

8. Голубков П.П., Заворотный С.И., Овчинников А.А. Приборы и техника эксперимента. 1984. № 6. С. 139–140.

9. Богданкевич О.В., Костин Н.Н., Крюкова И.В. // В трудах XIII Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Минск, 1988. Т. 3. С. 161.

10. Арсеньев В.Г., Богданкевич О.В. // Квант. электроника. 1986.

11. Козловский В.И., Марков Е.В., Насибов А.С. и др. // Письма 12. Крюкова И.В., Петровский Г.Т., Жулай В.Я. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. № 2. С. 137–140.

13. Козловский В.И., Марков Е.В., Насибов А.С. и др. // Письма 14. Богданкевич О.В, Дарзнек С.А., Крюкова И.В. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. № 3. С. 136–139.

15. Марков Е.В., Давыдов А.А. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 10. С. 1755–1758.

16. А. с. (CCCP) № 1398489. Крюкова И.В., Марков Е.В., Теплицкий В.И.; Приоритет от 21.04.1986 г.

17. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Латинис В., Юршенас С. // Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 46. С. 67.

18. Вайнерт Х., Жукаускас А., Латинис В., Степанкявичус В. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 47. С. 340.

19. Baltramiejunas R., Zukauskas A. // Phys. Stat. Sol. (b). 1988.

Vol. 149. С. 337.

20. Акустические кристаллы / Под. ред. М.П. Шаскольской. М.:

Наука, 1982.

21. Жукаускас С.А., Крюкова И.В., Латинис В. // Литовский физический сборник. 1990. Т. 30. С. 362.

22. Жукаускас С.А., Крюкова И.В. // II Европейская конференция по квантовой электронике. Дрезден, 1989. С. 159.

23. Жукаускас А., Крюкова И.В. // Квант. электроника. 1990. Т. 17.

№ 7. С. 872–876.

24. G. Shah. // IEEE. J. 1986. Vol. QE-22. С. 1728.

25. Levinson Y.B. // In: Noneuilibrium phonons in nonmetallic crystals.

Amsterdam: North-Holland, (1986).

26. Балтрамиюнас Р., Жукаускас А., Тамулайтис С. // ЖЭТФ.

1986. Т. 91. С. 1909.

27. Диджюлис А.А., Шатковский Е.В. // ФТП. 1988. Т. 22. С. 1412.

28. Osward R.B. // JEEE. Trans. On Nuclear Sciene. 1966. Vol. 13.

29. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Тезисы докл. V Всес. сов. «Физика и техническое применение полупроводников AIIBVI». Вильнюс. 1983. С. 74.

30. Богданкевич Л.В., Рухадзе А.А. // Письма в ЖЭТФ. 1971. Т. 13.

С. 517–519.

31. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новосибирск: Наука, 1982. С. 226.

32. Богданкевич О.В., Костин Н.Н., Крюкова И.В. и др. // ФизХОМ. 1988. С. 32–38.

33. Богданкевич О.В., Донской Е.Д., Коваленко В.А. и др. // Квант.

электроника. 1983. Т. 10. № 11. С. 2236.

34. Беспалько А.А. Кандидатская диссертация. Институт сильноточной электронники СОАН. г. Томск, 1982. С. 171.

35. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Тезисы докл. V Всес. сов. «Физика и техническое применение полупроводников AIIBIV». Вильнюс, 1983. С. 74.

36. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1986. Т. 13. № 10. С. 2132–2134.

37. Богданкевич О.В., Крюкова И.В. и др. // Изв. АН СССР. Сер.

Неорганические материалы. Т. 23. № 10. С. 1618.

38. Дарзнек С.А., Зверев М.М., Ушахин В.А. // Квант. электроника.

1974. Т. 1. С. 2281.

39. Коваленко В.А., Крюкова И.В., Паниткин Ю.Г., Тарасов М.Д. // Труды X Всесоюзной научно-технической конференции «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов». М., 1981. Ч. 1. С. 81.

40. А. с. (СССР) № 1436813, Астафьев И.А., Богданкевич О.В., Крюкова И.В., Зверев М.М., Певцов В.Ф.; Приоритет от 01.07.86 г.

41. Богданкевич О.В., Воробьев Н.Д., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1985. Т. 12. № 7. С. 1519–1521.

42. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1987. Т. 14. № 3. С. 605–606.

43. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Сов. радио, 1974. С. 256.

44. Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование наносекундных импульсных источников ускоренных электронов.

М.: Наука, 1974. С. 168.

45. Богданкевич О.В., Бурлаков Ю.В., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1987. Т. 14. С. 605.

46. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1988. Т. 15. С. 2015.

47. Белкин Н.В., Богданкевич О.В., Крюкова И.В. и др. // ПТЭ.

1976. № 2. С. 170–171.

48. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. // Квант.

электроника. 1987. Т. 14. № 1. С. 218.

49. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1976. Т. 3. № 10. С. 2302.

50. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // Квант. электроника. 1972. Т. 9. № 3. С. 110.

51. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Использование оптических квантовых генераторов в современной технике и медицине. Л.: Знание, 1971. Т. 2. № 3. С. 15–20.

52. Акимов Ю.А., Буров А.А., Коваленко В.А. и др. // В сб. I Всесоюзная научно-техническая конференция «Фотометрические измерения и их метрологическое обеспечение». М., Издательство стандартов, 1974. С. 199.

53. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Дистанционные измерения и регистрация однократных быстропротекающих процессов. Научные труды ВНИИОФИ. Сер. В. № 2.

54. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. Импульсная фотометрия, 1973. № 3. С. 141–143.

55. А. с. (СССР) № 60921, Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В., Царапаева Е.В.; Приоритет от 21.01.72 г.

56. А. с. (СССР) № 64338, Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В., Царапаева Е.В.; Приоритет от 19.07.72 г.

57. Буров А.А., Крюкова И.В., Крученов А.Н. и др. // В сб. X Всесоюзной Научно-технической конференции «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов»: Тезисы докладов. М.: Изд-во стандартов, 1981. С. 79.

58. А. с. (СССР) № 703939, Бендовский Е.Б., Клевков Ю.В., Крюкова И.В. и др.; Приоритет от 20 января 1977 г.

59. Акимов Ю.А., Буров А.А., Крюкова И.В. и др. // В сб. X Всесоюзная научно-техническая конференция «Высокоскоростная фотография и метрология быстропротекающих процессов».

М.: ВНИИОФИ, 1981. С. 79.

60. Гендель В.С., Говорков О.И., Крюкова И.В. и др. // В сб. научных трудов молодых ученых и специалистов «Оптикофизические измерения». Изд-во стандартов. 1977. С. 49–51.

61. Акимов Ю.В., Буров А.А., Кобецкий Б.И., Корчагин М.В. // ПТЭ. 1977. № 5. С. 239.

62. Акимов Ю.А., Буров А.А., Кобецкий Б.И. и др. // В сб. Всесоюзной научно-технической конференции «Современное состояние и перспективы развития высокоскоростной фотографии и кинематографии и метрологии быстропротекающих процессов». Тезисы докладов. М., 1979. С. 131.

63. Буров А.А., Красавина Е.М., Крюкова И.В., Родиченко Г.В. // Квант. электроника. 1986. Т. 13. № 12. С. 2529.

64. Григорьев О.Н., Гриднева И.В., Крюкова И.В. и др. // ФизХОМ.

1975. Т. 3. С. 117.

65. Курбатов Л.Н., Козина Г.С. и др. // Квант. электроника. 1980.

Т. 7. С. 384 // Квант. электроника. 1974. Т. 1. С. 2399.

66. Зверев М.М., Перегудов Д.В. и др. // Квант. электроника. 2004.

Крюкова Ирина Васильевна Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками Технический редактор Э.А. Кулакова Верстка оригинал-макета С.Ч. Соколовского Оригинал-макет подготовлен в Издательстве МГТУ им. Н.Э. Баумана.

Санитарно-эпидемиологическое заключение № 77.99.60.953.Д.003961.04.08 от 22.04.2008 г.

Подписано в печать 16.11.09. Формат 6090 1/16.

Усл. печ. л. 28,0. Тираж 300 экз. Заказ № Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, 105005, Москва, 2-я Бауманская, 5.

http:\\www.baumanpress.ru Отпечатано в ГУП ППП «Типография «Наука».

121099, Москва, Шубинский пер., 6.



 


Похожие работы:

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ КОНФУЦИЯ Дин Жуджунь, М. М. Ковалев, В. В. Новик ФЕНОМЕН ЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ КИТАЯ Монография Минск Издательский центр БГУ 2008 УДК 338.24.021.8(510) ББК 65.9(5КИТ)-1 Д44 Рецензенты: доктор экономических наук, профессор В. Ф. Байнев, доктор экономических наук, профессор Л. Н. Давыденко, доктор экономических наук, профессор А. Н. Тур Рекомендовано к изданию Ученым Советом экономического факультета БГУ протокол № 4 от 26 февраля 2008 г. Жуджунь...»

«Министерство культуры Российской Федерации Северо-Кавказский государственный институт искусств А. И. Рахаев Г. А. Гринченко И. С. БАХ ШЕСТЬ СОНАТ ДЛЯ ЧЕМБАЛО И СКРИПКИ Нальчик Издательство М. и В. Котляровых 2010 2 ББК 85.315.2 УДК 785.72.082.2(430)+929 Бах Р27 Рецензенты: Б. Г. Ашхотов, доктор искусствоведения, профессор Ф. С. Эфендиев, доктор философских наук, профессор Рахаев А. И., Гринченко Г. А. Р27 И. С. Бах. Шесть сонат для чембало и скрипки. – Нальчик: Издательство М. и В. Котляровых,...»

«М. В. Отрадин НА ПОРОГЕ КАК БЫ ДВОЙНОГО БЫТИЯ. О ТВОРЧЕСТВЕ И. А. ГОНЧАРОВА И ЕГО СОВРЕМЕННИКОВ Филологический факультет Санкт-Петербургского государственного университета Санкт-Петербург 2012 ББК 83.3(2Рос=Рус)1 О86 Печатается по постановлению Редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного университета Монография подготовлена к изданию при поддержке СПбГУ (НИР из средств СПбГУ, Мероприятие 9.31.45 1230 2011) Научный редактор доктор филол. наук, проф. А. А. Карпов...»

«ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИЙ ПО ВЫСШЕМУ ОБРАЗОВАНИЮ НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н. И. ЛОБАЧЕВСКОГО Е. А. МОЛЕВ БОСПОР В ПЕРИОД ЭЛЛИНИЗМА Монография Издательство Нижегородского университета Нижний Новгород 1994 ББК T3(0) 324.46. М 75. Рецензенты: доктор исторических наук, профессор Строгецкий В. М., доктор исторических наук Фролова Н. А. М 75. Молев Е. А. Боспор в период эллинизма: Монография.—Нижний Новгород: изд-ва ННГУ, 19Н 140 с. В книге исследуется...»

«ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЕ ПРАВО Ю. В. Волков РЕГУЛИРОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ СЕТЕЙ (От концепции до инструкции) Монография Екатеринбург 2010 УДК 347.76/.(763.8) ББК 67.404.3 Рецензент Соколов Ю.Н. - кандидат юридических наук, доцент Уральской государственной юридической академии. Монография рассмотрена и одобрена на кафедре информационного права и естественнонаучных дисциплин Уральской государственной юридической академии. Волков, Ю.В. Регулирование локальных сетей (От концепции до инструкции) / Волков Ю.В....»

«Крутиков В.К., Кузьмина Ю. В. СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ СЕТИ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ КООПЕРАТИВОВ Москва 2010 2 Образовательный консорциум Среднерусский университет Институт управления, бизнеса и технологий (г. Калуга) Тульский институт управления и бизнеса Среднерусский научный центр Северо-Западного (СанктПетербургского) отделения Международной академии наук высшей школы (МАН ВШ) Крутиков В.К., Кузьмина Ю.В. СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ СЕТИ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ КООПЕРАТИВОВ...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ТАМБОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Г.Р. ДЕРЖАВИНА Е.Ю. ЖМЫРОВА, В.А. МОНАСТЫРСКИЙ КИНОИСКУССТВО КАК СРЕДСТВО ВОСПИТАНИЯ ТОЛЕРАНТНОСТИ У УЧАЩЕЙСЯ МОЛОДЕЖИ Практико-ориентированная монография ТАМБОВ – 2012 УДК 791.43 Рекомендовано к печати ББК 85.37 Редакционно-издательским советом Ж77 ТГУ имени Г.Р. Державина Рецензенты: Макарова...»

«Издания, отобранные экспертами для ЦНБ и всех институтов УрО РАН (кроме Коми НЦ) (июнь 2012) Дата Институт Оценка Издательство Издание Эксперт ISBN Бюффон, Ж. Л. Л. Всеобщая и частная естественная история. История и теория Земли / Ж. Бюффон; пер. с фр. С. Я. Приобрести ISBN Разумовского, И. И. Лепехина. - Изд. 4-е. - Иванова для ЦНБ 978-5Ботанический сад URSS Либроком Москва : URSS : Либроком, cop. 2011( Наталья УрО РАН 397Москва). - 378, [6] с. : ил., карты ; 22 см. - Сергеевна (ЦБ Коми)...»

«А. Б. РУЧИН, М. К. РЫЖОВ АМФИБИИ И РЕПТИЛИИ МОРДОВИИ: ВИДОВОЕ РАЗНООБРАЗИЕ, РАСПРОСТРАНЕНИЕ, ЧИСЛЕННОСТЬ САРАНСК ИЗДАТЕЛЬСТВО МОРДОВСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2006 УДК 597.6: 598.1 (470.345) ББК Е6 Р921 Р е ц е н з е н т ы: кафедра зоологии Тамбовского государственного университета (и.о. заведующего кафедрой кандидат биологических наук доцент Г. А. Лада) доктор биологических наук профессор Б. Д. Васильев (Московский государственный университет) Ручин А. Б. Р921 Ручин А. Б., Рыжов М. К. Амфибии и...»

«Воробьев В.П. Израильский парламентаризм : конституционно-правовой анализ / В.П. Воробьев, И.А. Чайко. – М. : МГИМО-Университет, 2006. – 152 с. – ISBN 5-9228-0221-6. МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ В.П. Воробьев И.А. Чайко ИЗРАИЛЬСКИЙ ПАРЛАМЕНТАРИЗМ: конституционно-правовой анализ Монография Издательство МГИМО-Университет 2006 ББК 67. В Воробьев В.П., Чайко И.А. В75 Израильский парламентаризм: конституционно-правовой анализ Монография / В.П....»

«В. Н. Игнатович Парадокс Гиббса с точки зрения математика Киев – 2010 2 Игнатович В. Н. УДК 51-7:536.75 И26 Рекомендовано к печати Отделением математики Академии наук высшей школы Украины (Протокол №3 от 13.04.2010) Рецензент Н. А. Вирченко, д-р ф.-м. наук, проф. Игнатович В. Н. И 26 Парадокс Гиббса с точки зрения математика: Монография. — Киев: Издательская группа АТОПОЛ, 2010. — 80 с.: Библиогр.: с.75-78. ISBN 978-966-2459-01-2 Парадокс Гиббса возникает при теоретическом рассмотрении...»

«Учреждение Российской академии наук Институт мировой экономики и международных отношений РАН О.Н. Быков НАЦИОНАЛЬНЫЕ ИНТЕРЕСЫ И ВНЕШНЯЯ ПОЛИТИКА Москва ИМЭМО РАН 2010 УДК 327 ББК 66.4 Быко 953 Серия “Библиотека Института мировой экономики и международных отношений” основана в 2009 году Быко 953 Быков О.Н. Национальные интересы и внешняя политика. – М.: ИМЭМО РАН, 2010. – (колич. стр.) с. 284 ISBN 978-5-9535-0264-1 Монография посвящена исследованию проблемы взаимосвязи национальных – в отличие...»

«УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ИНСТИТУТ МИРОВОЙ ЭКОНОМИКИ И МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ РАН С.В. Уткин РОССИЯ И ЕВРОПЕЙСКИЙ СОЮЗ В МЕНЯЮЩЕЙСЯ АРХИТЕКТУРЕ БЕЗОПАСНОСТИ: ПЕРСПЕКТИВЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ Москва ИМЭМО РАН 2010 УДК 327 ББК 66.4(2 Рос)(4) Утки 847 Серия Библиотека Института мировой экономики и международных отношений основана в 2009 году Публикация подготовлена в рамках гранта Президента РФ (МК-2327.2009.6) Уткин Сергей Валентинович, к.п.н., зав. Сектором политических проблем европейской...»

«московский ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. В. Ломоносова ЭКОНОМИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ И.П.Пономарёв Мотивация работой в организации УРСС Москва • 2004 ББК 60.5, 65.2 Пономарёв Игорь Пантелеевич Мотивация работой в организации. — М.: EдитopиaJ^ УРСС, 2004. — 224 с. ISBN 5-354-00326-1 В данной монографии сделана попытка дальнейшего развития теории мо­ тивации, построена новая модель мотивации работника работой и описано про­ веденное эмпирическое исследование в организациях г. Москвы. Предложенная...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации ГОУ ВПО Тамбовский государственный технический университет А.И. ПОПОВ ИСТОРИЯ СТАНОВЛЕНИЯ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ОЛИМПИАДНОГО ДВИЖЕНИЯ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ МЕХАНИКЕ Рекомендовано Научно-техническим советом ТГТУ в качестве монографии Под редакцией доктора педагогических наук, кандидата технических наук, профессора Н.П. Пучкова Тамбов Издательство ТГТУ 2010. УДК 37.032 ББК В21 П58 Рецензенты: Кафедра Техническая физика и теоретическая механика...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Институт проблем безопасного развития атомной энергетики А. В. Носов, А. Л. Крылов, В. П. Киселев, С. В. Казаков МОДЕЛИРОВАНИЕ МИГРАЦИИ РАДИОНУКЛИДОВ В ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОДАХ Под редакцией профессора, доктора физико-математических наук Р. В. Арутюняна Москва Наука 2010 УДК 504 ББК 26.222 Н84 Рецензенты: академик РАЕН И. И. Крышев, доктор технических наук И. И. Линге Моделирование миграции...»

«С.В. Потемкин ЭСТЕТИКА ВИДЕО, ТЕЛЕВИДЕНИЯ и языккино САНКТ -ПЕТЕРБУРГ 2011 ВОЗРАТЯТЕ КНИГУ НЕ ПОЗЖЕ обозначенного здесь срока МИНИСТЕРСТВО КУЛЬТУРЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕГО СУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕУЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ САНКТ -ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ КИНО И ТЕЛЕВИДЕНИЯ С.В. Потемкин ЭСТЕТИКА ВИДЕО, ТЕЛЕВИДЕНИЯ и языккино САНКТ-ПЕТЕРБУРI'. CТBCIIIIЬIЙ ' С Нт- ПетерGурrскнн i ОС) дар...»

«Российская Академия Наук Институт философии М.М. Новосёлов БЕСЕДЫ О ЛОГИКЕ Москва 2006 УДК 160.1 ББК 87.5 Н 76 В авторской редакции Рецензенты доктор филос. наук А.М. Анисов доктор филос. наук В.А. Бажанов Н 76 Новосёлов М.М. Беседы о логике. — М., 2006. — 158 с. Указанная монография, не углубляясь в технические детали современной логики, освещает некоторые её проблемы с их идейной стороны. При этом речь идёт как о понятиях, участвующих в формировании логической теории в целом (исторический...»

«Российская академия наук музей антРопологии и этногРафии им. петРа Великого (кунсткамеРа) Ран а. к. салмин тРадиционные оБРяды и ВеРоВания ЧуВаШей санкт-петербург наука 2010 ББк 63.5(2)+86.31 удк 908+29 с16 Рецензенты: д-р ист. наук проф. Ю.е. Березкин д-р ист. наук проф. е.и. кычанов Научный редактор академик Ран и.м. стеблин-каменский Салмин А.К. традиционные обряды и верования чувашей. спб.: наука, С16 2010. 240 с. ISBN 978-5-02-025605-7 монография дает системное представление о...»

«ШЕКСПИРОВСКИЕ ШТУДИИ XII Вл. А. Луков В. С. Флорова СОНЕТЫ УИЛЬЯМА ШЕКСПИРА: ОТ КОНТЕКСТОВ К ТЕКСТУ (К 400-летию со дня публикации шекспировских Сонетов) МОСКОВСКИЙ ГУМАНИТАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Институт фундаментальных и прикладных исследований Центр теории и истории культуры МЕЖДУНАРОДНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК (IAS) Отделение гуманитарных наук Русской секции ШЕКСПИРОВСКИЕ ШТУДИИ XII Вл. А. Луков В. С. Флорова СОНЕТЫ УИЛЬЯМА ШЕКСПИРА: ОТ КОНТЕКСТОВ К ТЕКСТУ (К 400-летию со дня публикации шекспировских...»







 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.