WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Исследование процессов 3d-структурирования в электронной литографии

На правах рукописи

Князев Максим Александрович

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ

3D-СТРУКТУРИРОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ

ЛИТОГРАФИИ

Специальность 05.27.01 – твёрдотельная электроника, радиоэлектронные

компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка 2007

Работа выполнена в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Научный руководитель:

доктор физико-математических Зайцев Сергей Иванович, наук ИПТМ РАН

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических Рязанов Валерий Владимирович, наук ИФТТ РАН кандидат физико-математических Нащекин Алексей Викторович, наук ФТИ имени Иоффе РАН

Ведущая организация:

Физико-Технологический Институт РАН (г. Москва)

Защита состоится «» _ 2008 г. в ч. на заседании диссертационного совета Д.002.081.01 при Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН по адресу: 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Институтская, 6, ИПТМ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Автореферат разослан «_» 2007 г.

Учёный секретарь диссертационного совета Д.002.081.01, кандидат химических наук Панченко Л.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы Трехмерные микро- и наноструктуры (3D-структуры), выполненные из разнообразных материалов, в последнее время используются в различных областях, это и оптоэлектроника, и рентгеновская оптика, и микробиология.

Одним из наиболее гибких и часто применяемых методов создания 3D-объектов в лабораторных условиях является 3D-структурирование с помощью электронной литографии.

Электронная литография имеет широкие возможности для создания 3Dрельефа, но в тоже время обладает низкой производительностью, что ограничивает ее применение созданием экспериментальных структур или небольших партий для исследовательских нужд. Тем не менее, электронная литография является необходимым элементом нового метода, импринтлитографии, прогнозируемой к использованию для создания трехмерных микро- и наноструктур в промышленных масштабах. Метод импринт-литографии основан на впечатывании в полимер штампа, имеющего форму, обратную создаваемому рельефу. Создание же штампа осуществляется методом электронной литографии.

Технология электронной литографии развивается на протяжении длительного времени. Существенное внимание, соответственно, уделяется изучению свойств материалов, используемых в ней, в том числе электронным резистам. На протяжении долгого времени электронная литография в основном используется для создания планарных структур, для которых точное знание контрастности резиста не так важно, главное, чтобы она имела высокое значение.

Поэтому на момент начала исследований, составивших основу данной диссертации, информации о свойствах резистов, особенно о контрастности, было явно недостаточно для успешного изготовления 3D-рельефов.

Толщина пленки электронного резиста не превышает 2мкм, поэтому невозможно создать трехмерные структуры большего размера. Следовательно, существует потребность в методе, позволяющем устранить это ограничение, что существенно расширит область применения электронной литографии для 3Dструктурирования.

Необходимость уточнения существующих методов определения контрастности резистов, разработки новых надежных способов для непосредственного формирования 3D-топографии микро- и наноразмеров в, например, диэлектрических материалах, определяет актуальность темы настоящей диссертационной работы.

Цель и задачи работы Целью диссертации является совершенствование методов и процессов 3Dструктурирования с помощью электронной литографии. Для достижения цели необходимо было решить следующие задачи:

- разработать быстрый и точный метод определения контрастности электронных резистов;

- выявить влияние условий проявления на контрастность резиста с помощью разработанного метода определения контрастности;

- разработать технологические операции, расширяющие возможности электронной литографии и позволяющие, в том числе, осуществлять формирование 3D-структур.

Научная новизна работы 1. Впервые с помощью нового оптического метода измерена зависимость эффективной контрастности позитивного резиста от температуры проявителя.

Показано, что небольшое увеличение температуры ведет к значительному уменьшению эффективной контрастности.

2. Впервые с помощью нового оптического метода была экспериментально определена реальная (не зависящая от ускоряющего напряжения и материала подложки) контрастность позитивного резиста. Оказалась, что она в несколько раз меньше эффективной контрастности.

3. Экспериментально обнаружен новый эффект - зависимость скорости проявления электронного резиста от способа экспонирования и плотности тока (макс-эффект).

4. Разработанная для описания макс-эффекта феноменологическая модель позволила оценить его влияние на скорость проявления резиста. Оказалось, что для ПММА 950К в двух предельных случаях (ток экспонирования стремится к нулю и к бесконечности) скорость проявления резиста может отличаться в три раза при одинаковой дозе экспонирования. Обнаружено, что время релаксации промежуточных состояний более чем на четыре порядка больше характерного времени экспонирования резистов. Такая большая величина времени релаксации позволяет объяснить, почему влияние нагрева резиста при экспонировании на промышленных литографах практически отсутствует.

Практическая значимость работы 1. Разработанный новый оптический метод, в основе которого лежит специальная тестовая структура, может быть использован для быстрого и точного определения эффективной контрастности резистов в лабораторных и промышленных условиях, а также для исследования зависимости контрастности от разных параметров проявления и экспонирования резистов.

2. Учитывая при проектировании трехмерных структур влияние последовательности экспонирования и плотности тока на результат литографии, можно повысить качество 3D-структурирования.

3. Разработан новый метод 3D-структурирования на основе электронной литографии, который может быть использован для создания трехмерных структур толщиной на порядок большей, чем толщина слоя электронного резиста.

Личный вклад диссертанта в работу Автором изготовлены все образцы, разработан метод 3D-структурирования на основе электронной литографии, проведены все измерения, связанные с определением дозовых характеристик резистов, осуществлена обработка всех экспериментальных данных, им сформулированы положения, выносимые на защиту.

Автор участвовал в разработке феноменологической модели влияния последовательности и плотности тока экспонирования на поглощенную дозу.

Оптические измерения также проводились при участии автора.

Работа проводилась совместно с сотрудниками лаборатории Физики и технологии мезоскопических структур (технологические операции, связанные с литографией), лаборатории Интегральной оптики (оптические измерения) и лаборатории Теоретической физики (разработка феноменологической модели влияния плотности тока и последовательности экспонирования на поглощенную дозу).

Основные положения, выносимые на защиту 1. Новый оптический метод определения контрастности электронных резистов с помощью специальной тестовой структуры, являющийся быстрым и точным инструментом для изучения зависимости контрастности резиста от параметров проявления. Результаты исследования зависимости контрастности резиста от температуры проявителя.

2. Обнаруженная зависимость скорости проявления резиста от последовательности экспонирования и плотности тока при одинаковой дозе экспонирования (макс-эффект). Феноменологическая модель макс-эффекта, позволяющая оценить его максимальное влияние на скорость проявления резиста.

3. Новый метод 3D-структурирования, позволяющий создание трехмерных структур толщиной на порядок большей, чем толщина слоя электронного резиста.

4. Результаты исследования спектров фотонных структур созданных в пленках резиста с красителем родамин 6G, свидетельствующие об увеличении в несколько раз интенсивности фотолюминесценции на структурах по сравнению с исходной пленкой.

Апробация работы Материалы диссертации были представлены на следующих научных конференциях:

- The International Conference “Micro- and Nano-Engineering” (Cambridge, United Kingdom, MNE-2003);

- The International Conference “Micro- and Nano-Electronics” (Звенигород, ICMNE-2003);

- NANOSTRUCTURES: Physics and Technology" (St Petersburg, 2004);

- The International Conference “Micro- and Nano-Electronics – 2005” (Звенигород, ICMNE-2005);

- The International Conference “Micro- and Nano-Engineering” (Barcelona, Spain, MNE-2006);

- Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2006г);

- European Conference on Modelling and Simulation (Riga, Latvia, 2005г).

Публикации Основные результаты диссертационной работы изложены в одиннадцати публикациях. Их список приведён в конце автореферата.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация изложена на страницах, включает рисунков и таблиц. Список литературы содержит источник.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении представлено общее описание проделанной работы, перечислены основные результаты, приведено обсуждение актуальности, новизны работы и практической значимости результатов.

В первой главе описываются методы электронной литографии и типы применяемых резистов. Излагаются основные принципы и характеристики проявления электронных резистов. Описываются распространенные методы создания трехмерных микро- и наноструктур.

Во второй главе описаны технологические операции и установки, применявшиеся для литографии и при оптических измерениях. В частности, описана литографическая установка на основе электронного сканирующего микроскопа JEOL JSM-840A, где управление электронным пучком при литографии, а также подготовка данных осуществляется при помощи программноаппаратного комплекса Nanomaker.

Третья глава посвящена описанию нового оптического метода определения контрастности электронного резиста, который не требует построения дозовой кривой, а значит, отпадает необходимость в процедуре определения остаточной толщины резиста. Тем самым увеличивается точность и уменьшается время, необходимое для определения контрастности. В новом оптическом методе используется зависимость скорости проявления резиста от дозы экспонирования:

где v – это скорость проявления резиста, проэкспонированного с дозой D, а v0 проэкспонированного с дозой D0, равной чувствительности резиста. Величина является контрастностью резиста. Основой нового оптического метода служит специальная тестовая структура, в которую, опираясь на формулу (1), при проектировании закладывается некоторое значение контрастности. Эта структура проявляется «правильно» только в том случае, если заложенная в нее контрастность совпадает с контрастностью резиста. В итоге тестовая структура представляет собой набор прямоугольников, состыкованных друг с другом (рис.1). Доза экспонирования прямоугольников увеличивается слева направо.

Соответственно, доза экспонирования первого (крайне левого) прямоугольника равна нулю, а последнего (крайне правого) является максимальной (Dmax). Такая тестовая структура называется дозовым клином.

Рис.1. Схематическое изображение дозового клина.

При проектировании доза экспонирования Dn от прямоугольника к прямоугольнику в тестовой структуре задается следующей формулой:

где n - это номер прямоугольника, N - это общее количество прямоугольников, а fit - некий параметр. При проявлении этой структуры можно получить всего три различных профиля в резисте. Как видно из рис.2a, если fit больше контрастности резиста, то профиль структуры вогнутый, если наоборот, то профиль выгнутый, а в случае, когда fit=, профиль имеет вид наклонной плоскости. Т.е. подобрав параметр fit так, чтобы дозовый клин получился с плоским профилем, можно определить контрастность резиста. Используемая в эксперименте тестовая структура состоит из нескольких дозовых клиньев, рассчитанных для разных значений fit. Это позволяет после проявления тестовой структуры сразу получить значение контрастности, определив клин, имеющий плоский профиль.

На рис.2б изображен снимок тестовой структуры, созданной в резисте П(MMA-MAA) сополимере и рассчитанной для диапазона значений fit от 1.5 до 4.5 с шагом 0.5. Снимок был сделан через красный светофильтр. В случае, когда fit=, расстояния между минимумами или максимумами интенсивности на изображении должны быть постоянны. Видно, что для случая, представленного на рис.2б, контрастность =3.5.

Рис.2. а) Зависимость формы профиля дозового клина после проявления от соотношения значений параметра fit и контрастности ; б) результат проявления тестовой структуры в резисте П(MMA-MAA) сополимере.

В итоге, время, затраченное на определение контрастности резиста с помощью нового оптического метода и отсчитанное от начала экспонирования, составляет порядка 30 минут. Такая высокая скорость измерения открывает новые возможности в изучении особенностей проявления резистов.

Табл.1. Контрастности резистов, измеренные новым оптическим методом.

С помощью нового оптического метода были получены значения контрастности для резистов ПММА 950К, ЭРП-40, ZEP-520 и П(MMA-MAA) сополимера. Результаты измерения представлены в табл.1. Также была исследована зависимости контрастности ПММА 950К от ускоряющего напряжения, от соотношения объемов воды и изопропилового спирта в проявителе и от температуры проявителя. Оказалось, что незначительное увеличение температуры ведет к значительному уменьшению контрастности, в частности, для ПММА 950К при температуре 21.5С0 контрастность равнялась 8, а при 37.5С0 она уменьшилась до 4.

Следует заметить, что определяемая контрастность является эффективной, т.к. поглощенная в резисте доза не постоянна по глубине, а линейно нарастает. В диссертации разработан метод учета линейной зависимости дозы по глубине, что позволяет определять реальную контрастность резиста.

Было определено, что реальная контрастность (для ПММА 950К она меньше трех) гораздо ниже эффективной и не зависит от ускоряющего напряжения.

Рис.3. Результат проявления дозовых клиньев, проэкспонированных с одной дозой, но разным способом. Верхний клин экспонировался за 1 цикл, а нижний за 20 циклов.

Шероховатость проявленного резиста представляет большую проблему при определении контрастности. Для ее устранения были применены два метода. В одном проводилась расфокусировка электронного луча до диаметра пятна в несколько микрон, благодаря чему шероховатость резиста уменьшалась. Второй метод заключался в экспонировании структур не сразу, а за несколько циклов, т.е.

каждый прямоугольник в дозовом клине экспонировался не с 100% заданной для него дозой, а, например, с дозой равной 5% от необходимого, но за 20 циклов экспонирования набиралось 100% необходимой дозы. Оказалось, что шероховатость при этом не уменьшается. Выяснилось, что хотя полная доза экспонирования для обоих клиньев одинаковая, результат их проявления оказался разным, как показано на рис.3. Стоит отметить, что дозовые клинья проявлялись в абсолютно одинаковых условиях.

В четвертой главе исследуется зависимость скорости проявления резиста от последовательности экспонирования и плотности тока. Обнаруженное явление далее для краткости обозначается как макс-эффект. Он может существенно повлиять на результат проявления 3D-структур, что может сильно сказаться на их качестве.

Для описания макс-эффекта предложена феноменологическая модель. В ней полагается, что в полимерной молекуле при облучении происходит разрыв связей, которые еще некоторое время могут восстановиться и молекула снова окажется целой. В течение этого времени молекула находится в промежуточном состоянии.

Темп рождения промежуточных состояний пропорционален плотности тока J.

Далее, у промежуточного состояния есть две возможности:

1. вернуться в исходное состояние, 2. образовать окончательный разрыв.

Наиболее вероятным объяснением макс-эффекта является ускорение электронами возврата молекулы в исходное состояние (сшивки).

Пусть B(t)- это концентрация окончательных разрывов, а b(t) – концентрация промежуточных состояний. Константы K1 и K3 характеризуют скорости процессов возврата промежуточного состояния в нормальное и образования окончательного разрыва. Скорость рождения промежуточных состояний характеризуется константой K0, а скорость возвращения электронами молекулы в исходное состояние - константой K2. В отличие от констант K1 и K3, зависящих от температуры, константы K0 и K2, связанные с плотностью тока электронов пучка, по-видимому, не должны зависеть от температуры, т.к. энергия



Похожие работы:

«Кузнецов Александр Викторович Физико-химические свойства газовой фазы при синтезе мочевины по реакции Базарова АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата химических наук Специальность 02.00.04 – физическая химия Москва – 2010 Работа выполнена в лаборатории химической термодинамики кафедры физической химии Химического факультета Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова. Научный руководитель : доктор химических наук, профессор Воронин...»

«Гуляев Сергей Николаевич РЕЛЬЕФНО-ФАЗОВЫЕ ГОЛОГРАММЫ НА ФОТОЭМУЛЬСИОННЫХ СЛОЯХ, ОБЛУЧЕННЫХ УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ Специальность 01.04.04 – физическая электроника 01.04.05 - оптика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Санкт-Петербург 2006 г. Работа выполнена на кафедре физической электроники Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный...»

«Ермошин Дмитрий Владимирович РАЗРАБОТКА СИСТЕМЫ ИМИТАЦИОННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ УПРАВЛЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫМИ ПРЕДПРИЯТИЯМИ 08.00.13 Математические и инструментальные методы экономики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук Волгоград – 2007 Работа выполнена в ГОУ ВПО Саратовский государственный социально-экономический университет Научный руководитель доктор экономических наук, кандидат физико-математических наук, профессор...»

«Гусельникова Ольга Михайловна Об оптимальных вложениях обобщенных потенциалов типа Бесселя и типа Рисса 01.01.01 – вещественный, комплексный и функциональный анализ АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва - 2011 Работа выполнена в Российском университете дружбы народов Научный руководитель : доктор физико-математических наук,...»

«Новиков Владимир Анатольевич Оптико-электронные приборы, методы и информационное обеспечение контроля реакций биообъекта на лазерное воздействие Специальность 05.11.07 — Оптические и оптикоэлектронные приборы и комплексы Специальность 05.11.17 — Приборы, системы и изделия медицинского назначения АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2011 Работа выполнена в ГОУ ВПО Казанский государственный энергетический университет Научный...»

«Тюлькина Елена Юрьевна УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ МОМЕНТНЫЙ МЕТОД РЕШЕНИЯ КИНЕТИЧЕСКОГО УРАВНЕНИЯ И ЕГО ПРИЛОЖЕНИЕ К ЗАДАЧАМ ТЕПЛОПЕРЕНОСА В МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАЗАХ Специальность 01.04.02 – теоретическая физика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва 2010 2 Работа выполнена на кафедре теоретической физики и математического моделирования Орловского государственного университета Научный руководитель : доктор физико-математических...»

«Илларионов Андрей Анатольевич Статистические свойства полиэдров Клейна и локальных минимумов решеток 01.01.06 — математическая логика, алгебра и теория чисел Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Хабаровск – 2014 Общая характеристика работы Актуальность темы. Алгоритм разложения вещественного числа в непрерывную (цепную) дробь является одним из важнейших инструментов теории чисел, восходящим еще к античному алгоритму Евклида...»

«Гоголь Феликс Витальевич ДИНАМИКА ЦЕНТРОВ ДЕЙСТВИЯ АТМОСФЕРЫ ПЕРВОГО ЕСТЕСТВЕННОГО СИНОПТИЧЕСКОГО РАЙОНА И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ИЗМЕНЕНИЯ КЛИМАТА РЕСПУБЛИКИ ТАТАРСТАН В ЗИМНИЙ ПЕРИОД Специальность 25.00.30 – метеорология, климатология, агрометеорология АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата географических наук Казань – 2010 Работа выполнена на кафедре метеорологии, климатологии и экологии атмосферы в ГОУ ВПО Казанский государственный университет им....»

«ЭНБОМ Екатерина Александровна НЕКОТОРЫЕ КРАЕВЫЕ ЗАДАЧИ ДЛЯ ВЫРОЖДАЮЩИХСЯ ГИПЕРБОЛИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ ТРЕТЬЕГО ПОРЯДКА В ТРЕХМЕРНЫХ ОБЛАСТЯХ 01.01.02 -дифференциальные уравнения АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Казань - 2003 Работа выполнена на кафедре математического анализа Самарского государственного педагогического университета. Научный руководитель : заслуженный деятель науки РФ, доктор физико-математических наук,...»

«АРЖАНОВА Ирина Вадимовна ЭВОЛЮЦИЯ МЕЖДУНАРОДНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО СОТРУДНИЧЕСТВА В УСЛОВИЯХ МОДЕРНИЗАЦИИ РОССИЙСКОЙ ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ В 1991-2011-е ГОДЫ Специальность 07.00.02 – Отечественная история Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора исторических наук Москва - 2012 Работа выполнена на кафедре истории России и кафедре сравнительной образовательной политики Федерального государственного бюджетного учреждения высшего профессионального образования Российский...»

«Кузнецов Александр Александрович 238 Распределение масс осколков деления U в области энергий гигантского дипольного резонанса Специальность 01.04.16 - физика атомного ядра и элементарных частиц Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Москва - 2013 Работа выполнена в отделе электромагнитных...»

«Игнащенко Егор Юрьевич МЕТОДЫ МИНИМАКСНО-СТАТИСТИЧЕСКОЙ ОПТИМИЗАЦИИ И ОЦЕНИВАНИЯ В ЛИНЕЙНО-КВАДРАТИЧНЫХ МОДЕЛЯХ Специальность 05.13.01 Системный анализ, управление и обработка информации (авиационная и ракетно-космическая техника) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва, 2010 Работа выполнена на кафедре Теории вероятностей Московского авиационного института (государственного технического университета). Научный...»

«ЗАРУЧЕВСКАЯ ГАЛИНА ВАСИЛЬЕВНА ПРИМЕНЕНИЕ МЕЛКОЗЕРНИСТОГО ЛОКАЛЬНОПАРАЛЛЕЛЬНОГО ПРОГРАММИРОВАНИЯ ПРИ РЕШЕНИИ ЗАДАЧ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ МЕТОДОМ СЕТОК 05.13.18 – математическое моделирование, численные методы и комплексы программ АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Петрозаводск 2008 Работа выполнена в Поморском государственном университете Научный руководи- доктор технических наук, профессор тель Воробьев Владимир Анатольевич...»

«Свиридов Константин Сергеевич О СВОЙСТВЕ МАГНУСА И КОНЕЧНЫХ ПОДГРУППАХ ГИПЕРБОЛИЧЕСКИХ ГРУПП 01.01.06 – математическая логика, алгебра и теория чисел АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Новосибирск 2011 Работа выполнена в Институте математики им. С.Л. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук. Научный руководитель : доктор физико-математических наук Олег Владимирович Богопольский Официальные оппоненты : доктор...»

«Мазалов Александр Владимирович ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (Al)GaN/AlN ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ БЛИЖНЕГО УФ-ДИАПАЗОНА Специальность 05.11.07 – Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2013 Работа выполнена в ОАО НИИ Полюс им. М.Ф.Стельмаха. Научный руководитель : доктор технических наук Александр Анатольевич Мармалюк Официальные оппоненты : Владимир Петрович Астахов доктор...»

«Зубчанинов Дмитрий Владимирович МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ СЛОЖНОГО УПРУГОПЛАСТИЧЕСКОГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ Специальность 01.02.04 — Механика деформируемого твердого тела АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Тверь, 2010 Работа выполнена в Тверском государственном техническом университете на кафедре Сопротивление материалов, теория упругости и пластичности. Научный руководитель : доктор технических наук, профессор, Охлопков Николай...»

«УДК 515.12 Тожиев Илхом Ибраимович ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРОСТРАНСТВА ИДЕМПОТЕНТНО-ЛИНЕЙНЫХ ФУНКЦИОНАЛОВ НА АЛГЕБРЕ НЕПРЕРЫВНЫХ ФУНКЦИЙ КОМПАКТА 01.01.04 – Геометрия и топология АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Ташкент – Работа выполнена в Институте математики и информационных технологий Академии Наук Республики Узбекистан Научный...»

«Матвеева Анастасия Михайловна ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ГЕОМЕТРИЯ ОСНАЩЕННЫХ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ В КОНФОРМНОМ ПРОСТРАНСТВЕ 01.01.04 – геометрия и топология Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Казань – 2009 Работа выполнена на кафедре геометрии ГОУ ВПО Чувашский государственный педагогический университет им. И. Я. Яковлева Научный руководитель : доктор физико-математических наук, профессор Столяров Алексей Васильевич Официальные оппоненты...»

«Артемов Анатолий Анатольевич КАНОНИЧЕСКИЕ И ГРАНИЧНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ НА СФЕРЕ С ДЕЙСТВИЕМ ОБОБЩЕННОЙ ГРУППЫ ЛОРЕНЦА 01.01.01 – вещественный, комплексный и функциональный анализ Автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук Москва – 2011 год Работа выполнена на кафедре математического анализа Табовского государственного университета имени Г.Р. Державина Научный консультант доктор физико-математических наук, профессор В. Ф. Молчанов...»

«ПОДКОПАЕВ ИЛЬЯ ВИКТОРОВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫМИ МОЩНОСТЯМИ В КЛАСТЕРАХ РАБОЧИХ СТАНЦИЙ Специальность 05.13.01. Системный анализ, управление и обработка информации АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2010 Работа выполнена на кафедре Вычислительная техника при Московском государственном институте электронной техники (техническом университете). Научный кандидат...»














 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.